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GS8322Z36AGB-150T: 产品描述ZBT SRAM, 1MX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-119; 产品类别存储存储; 文件大小536KB，共37页; 制造商GSI Technology; 官网地址http://www.gsitechnology.com/; 标准

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GS8322Z36AGB-150T概述

ZBT SRAM, 1MX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-119

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	GSI Technology
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA, BGA119,7X17,50
针数	119
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B
最长访问时间	7.5 ns
其他特性	ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY, PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW THROUGH
最大时钟频率 (fCLK)	150 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e1
长度	22 mm
内存密度	37748736 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	119
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.5/3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.99 mm
最大待机电流	0.03 A
最小待机电流	2.3 V
最大压摆率	0.185 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm

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