BRUS7100概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, 1000V V(RRM), Silicon

BRUS7100规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	EDI [Electronic devices inc.]
包装说明	R-PUFM-W4
Reach Compliance Code	unknown
最小击穿电压	1000 V
外壳连接	ISOLATED
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	2.25 V
JESD-30 代码	R-PUFM-W4
最大非重复峰值正向电流	250 A
元件数量	4
相数	1
端子数量	4
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	20 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	1000 V
最大反向电流	5 µA
最大反向恢复时间	0.075 µs
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	UPPER

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BRUS7100相似产品对比

	BRUS7100	BRUS780
描述	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, 1000V V(RRM), Silicon	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, 800V V(RRM), Silicon
包装说明	R-PUFM-W4	R-PUFM-W4
Reach Compliance Code	unknown	unknown
最小击穿电压	1000 V	800 V
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	2.25 V	2.25 V
JESD-30 代码	R-PUFM-W4	R-PUFM-W4
最大非重复峰值正向电流	250 A	250 A
元件数量	4	4
相数	1	1
端子数量	4	4
最高工作温度	150 °C	150 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C
最大输出电流	20 A	20 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	1000 V	800 V
最大反向电流	5 µA	5 µA
最大反向恢复时间	0.075 µs	0.075 µs
表面贴装	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE
端子位置	UPPER	UPPER

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