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Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 触发装置> SKT300/06C
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SKT300/06C

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 471A I(T)RMS, 300000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-209AD
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小211KB，共6页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
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SKT300/06C概述

Silicon Controlled Rectifier, 471A I(T)RMS, 300000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-209AD

SKT300/06C规格参数

参数名称属性值
厂商名称SEMIKRON
包装说明POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接ANODE
标称电路换相断开时间150 µs
配置SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率200 V/us
最大直流栅极触发电流200 mA
最大直流栅极触发电压3 V
最大维持电流250 mA
JEDEC-95代码TO-209AD
JESD-30 代码O-MUPM-H3
最大漏电流50 mA
通态非重复峰值电流11000 A
元件数量1
端子数量3
最大通态电流300000 A
最高工作温度130 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
认证状态Not Qualified
最大均方根通态电流471 A
重复峰值关态漏电流最大值50000 µA
断态重复峰值电压600 V
重复峰值反向电压600 V
表面贴装NO
端子形式HIGH CURRENT CABLE
端子位置UPPER
触发设备类型SCR

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SKT300/06C相似产品对比

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描述 Silicon Controlled Rectifier, 471A I(T)RMS, 300000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-209AD Silicon Controlled Rectifier, 392.5A I(T)RMS, 250000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-209AD Silicon Controlled Rectifier, 392.5A I(T)RMS, 250000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AD Silicon Controlled Rectifier, 471A I(T)RMS, 300000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AD Silicon Controlled Rectifier, 471A I(T)RMS, 300000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209AD Silicon Controlled Rectifier, 471A I(T)RMS, 300000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-209AD Silicon Controlled Rectifier, 392.5A I(T)RMS, 250000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-209AD, Silicon Controlled Rectifier, 392.5A I(T)RMS, 250000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209AD
包装说明 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code unknown compli compli unknown unknown unknown compli compli
外壳连接 ANODE ANODE ANODE ANODE ANODE ANODE ANODE ANODE
标称电路换相断开时间 150 µs 150 µs 150 µs 150 µs 150 µs 150 µs 150 µs 150 µs
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率 200 V/us 200 V/us 200 V/us 200 V/us 200 V/us 200 V/us 200 V/us 200 V/us
最大直流栅极触发电流 200 mA 200 mA 200 mA 200 mA 200 mA 200 mA 200 mA 200 mA
最大直流栅极触发电压 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
最大维持电流 250 mA 250 mA 250 mA 250 mA 250 mA 250 mA 250 mA 250 mA
JEDEC-95代码 TO-209AD TO-209AD TO-209AD TO-209AD TO-209AD TO-209AD TO-209AD TO-209AD
JESD-30 代码 O-MUPM-H3 O-MUPM-H3 O-MUPM-H3 O-MUPM-H3 O-MUPM-H3 O-MUPM-H3 O-MUPM-H3 O-MUPM-H3
最大漏电流 50 mA 50 mA 50 mA 50 mA 50 mA 50 mA 50 mA 50 mA
通态非重复峰值电流 11000 A 7000 A 7000 A 11000 A 11000 A 11000 A 7000 A 7000 A
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3 3
最大通态电流 300000 A 250000 A 250000 A 300000 A 300000 A 300000 A 250000 A 250000 A
最高工作温度 130 °C 130 °C 130 °C 130 °C 130 °C 130 °C 130 °C 130 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大均方根通态电流 471 A 392.5 A 392.5 A 471 A 471 A 471 A 392.5 A 392.5 A
重复峰值关态漏电流最大值 50000 µA 50000 µA 50000 µA 50000 µA 50000 µA 50000 µA 50000 µA 50000 µA
断态重复峰值电压 600 V 400 V 800 V 800 V 1200 V 400 V 600 V 1200 V
重复峰值反向电压 600 V 400 V 800 V 800 V 1200 V 400 V 600 V 1200 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 HIGH CURRENT CABLE HIGH CURRENT CABLE HIGH CURRENT CABLE HIGH CURRENT CABLE HIGH CURRENT CABLE HIGH CURRENT CABLE HIGH CURRENT CABLE HIGH CURRENT CABLE
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR SCR SCR SCR SCR
厂商名称 SEMIKRON - - - SEMIKRON SEMIKRON SEMIKRON SEMIKRON

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