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RSA5MTFTR

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 5V V(RWM), Unidirectional,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小87KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RSA5MTFTR概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 5V V(RWM), Unidirectional,

RSA5MTFTR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
击穿电压标称值6.7 V
最大钳位电压9.2 V
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
极性UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压5 V
表面贴装YES

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RSA5M
Diodes
ESD Protection Device (TVS)
RSA5M
Applications
ESD Protection
Dimensions
(Unit : mm)
1.6±0.1
0.1±0.1
    0.05
Land size figure
(Unit : mm)
1.2
0.85
Features
1) Small power mold type. (PMDU)
2) High reliability
2.6±0.1
3.5±0.2
Construction
Silicon epitaxial planar
PMDU
0.9±0.1
ROHM : PMDU
JEDEC :SOD-123
Manufacture Date
0.8±0.1
Structure
Taping dimensions
(Unit : mm)
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.05
1.75±0.1
0.25±0.05
3.5±0.05
8.0±0.2
1.81±0.1
4.0±0.1
φ1.0±0.1
3.71±0.1
1.5MAX
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Symbol
Peak pulse power(tp=10×1000us)
Ppk
Stand off power
V
RMN
Junction temperature
Tj
Storage temperature
Tstg
Limits
200
5
150
-55 to +150
Unit
W
V
Electrical characteristic
(Ta=25°C)
Parameter
Breakdown voltage
Clamping voltage
Reverse current
Symbol
VBR
VC
IR
Min.
6.4
-
-
Typ.
-
-
-
Max.
7.0
9.2
400
Unit
V
V
uA
Conditions
I
R
=10.0mA
I
pp
=21.7A
V
RMN
=5.0V
3.05
1/2
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