PDTC114TE-T,PDTC114TE-T pdf中文资料,PDTC114TE-T引脚图,PDTC114TE-T电路-Datasheet-电子工程世界

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PDTC114TE-T: 产品描述100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-75, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小82KB，共11页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com; 标准

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PDTC114TE-T概述

100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-75, 3 PIN

PDTC114TE-T规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	NXP(恩智浦)
零件包装代码	SC-75
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	200
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

PDTC114TE-T相似产品对比

	PDTC114TE-T	PDTC114TEF115	PDTC114TS126	PDTC114TK-T	PDTC114TE/T4	PDTC114TT-T	PDTC114TU-T
描述	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-75, 3 PIN	Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS RET TAPE-7	Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS RET AMMO RADIAL	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC, SC-59, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-75, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-70, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
厂商名称	NXP(恩智浦)	-	-	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
零件包装代码	SC-75	-	-	SOT-23	SC-75	SOT-23	SC-70
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	-	-	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3	-	-	3	3	3	3
Reach Compliance Code	unknown	-	-	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	-	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR	-	-	BUILT-IN BIAS RESISTOR	BUILT-IN BIAS RESISTOR	BUILT-IN BIAS RESISTOR	BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	-	-	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	-	-	50 V	50 V	50 V	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	-	-	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	200	-	-	200	200	200	200
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	-	-	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
元件数量	1	-	-	1	1	1	1
端子数量	3	-	-	3	3	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN	-	-	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	-	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	-	-	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	-	-	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	-	-	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	-	-	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	-	-	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON

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