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TN0201L18

产品描述640mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小44KB,共2页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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TN0201L18概述

640mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA

TN0201L18规格参数

参数名称属性值
厂商名称Vishay(威世)
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)0.64 A
最大漏源导通电阻1.2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)15 pF
JEDEC-95代码TO-226AA
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
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