PTFA082201F,PTFA082201F pdf中文资料,PTFA082201F引脚图,PTFA082201F电路-Datasheet-电子工程世界

PTFA082201F: 产品描述Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 220 W, 869 鈥?894 MHz; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小332KB，共10页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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PTFA082201F概述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 220 W, 869 鈥?894 MHz

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
包装说明	FLATPACK, R-CDFP-F2
针数	2
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
外壳连接	SOURCE
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	65 V
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-CDFP-F2
JESD-609代码	e4
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	GOLD
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON

	PTFA082201F	PTFA082201E	PTFA082201E_09
描述	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 220 W, 869 鈥?894 MHz	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 220 W, 869 鈥?894 MHz	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 220 W, 869 鈥?894 MHz
是否无铅	不含铅	不含铅	-
是否Rohs认证	符合	符合	-
包装说明	FLATPACK, R-CDFP-F2	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2	-
针数	2	2	-
Reach Compliance Code	compli	compli	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	-
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	-
外壳连接	SOURCE	SOURCE	-
配置	SINGLE	SINGLE	-
最小漏源击穿电压	65 V	65 V	-
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	-
JESD-30 代码	R-CDFP-F2	R-CDFM-F2	-
JESD-609代码	e4	e4	-
元件数量	1	1	-
端子数量	2	2	-
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-
最高工作温度	200 °C	200 °C	-
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	FLATPACK	FLANGE MOUNT	-
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	-
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-
表面贴装	YES	YES	-
端子面层	GOLD	GOLD	-
端子形式	FLAT	FLAT	-
端子位置	DUAL	DUAL	-
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	-
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	-
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	-

求助：ATTINY13休眠电流很大，降不下来: 我用ATTINY13做手电筒的控制电路，由于用的是电池，必须把休眠电流控制在很小的范围内。可是上电测试发现在掉电模式下，休眠电流很大，达到了1.2mA，有什么办法降下来啊？掉电模式下，我能关的的都关了，电流还是降不下来，后来把外围电路全部撤掉，程序也只留下休眠控制那一段，测量VCC端电流还是在1mA左右，程序如下，请高手们指点一下！我用的是内部4.8M晶振，软件64分频，熔丝位禁止BOD（熔丝位低...; yong2006cs Microchip MCU

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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