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PTFA082201E

产品描述Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 220 W, 869 鈥?894 MHz
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小332KB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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PTFA082201E概述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 220 W, 869 鈥?894 MHz

PTFA082201E规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压65 V
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
JESD-609代码e4
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层GOLD
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

PTFA082201E相似产品对比

PTFA082201E PTFA082201F PTFA082201E_09
描述 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 220 W, 869 鈥?894 MHz Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 220 W, 869 鈥?894 MHz Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 220 W, 869 鈥?894 MHz
是否无铅 不含铅 不含铅 -
是否Rohs认证 符合 符合 -
包装说明 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLATPACK, R-CDFP-F2 -
针数 2 2 -
Reach Compliance Code compli compli -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY -
外壳连接 SOURCE SOURCE -
配置 SINGLE SINGLE -
最小漏源击穿电压 65 V 65 V -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR -
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND -
JESD-30 代码 R-CDFM-F2 R-CDFP-F2 -
JESD-609代码 e4 e4 -
元件数量 1 1 -
端子数量 2 2 -
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE -
最高工作温度 200 °C 200 °C -
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 FLANGE MOUNT FLATPACK -
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 YES YES -
端子面层 GOLD GOLD -
端子形式 FLAT FLAT -
端子位置 DUAL DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 -
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -

 
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