120 A, 60 V, 0.0024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
120 A, 60 V, 0.0024 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-262AA
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | TO-262AA |
包装说明 | GREEN, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
雪崩能效等级(Eas) | 634 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 120 A |
最大漏极电流 (ID) | 120 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0024 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-262AA |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 250 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 480 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
IPI024N06N3G | IPB021N06N3G | IPP024N06N3G | |
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描述 | 120 A, 60 V, 0.0024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA | 120 A, 60 V, 0.0024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA | 120 A, 60 V, 0.0024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 2 | 3 |
端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING | THROUGH-孔 |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | 单一的 |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | 开关 |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | 硅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - |
零件包装代码 | TO-262AA | D2PAK | - |
包装说明 | GREEN, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | - |
针数 | 3 | 4 | - |
Reach Compliance Code | compli | compli | - |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - |
雪崩能效等级(Eas) | 634 mJ | 634 mJ | - |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
最小漏源击穿电压 | 60 V | 60 V | - |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 120 A | 120 A | - |
最大漏极电流 (ID) | 120 A | 120 A | - |
最大漏源导通电阻 | 0.0024 Ω | 0.0021 Ω | - |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
JEDEC-95代码 | TO-262AA | TO-263AB | - |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSSO-G2 | - |
JESD-609代码 | e3 | e3 | - |
湿度敏感等级 | 1 | 1 | - |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | - |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE | - |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 | - |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | - |
最大功率耗散 (Abs) | 250 W | 250 W | - |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 480 A | 480 A | - |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
表面贴装 | NO | YES | - |
端子面层 | Matte Tin (Sn) | MATTE TIN | - |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 | - |
Base Number Matches | 1 | 1 | - |
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