76 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） |
| 零件包装代码 | TO-247AD |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 76 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 600 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大降落时间（tf） | 54 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值 | 6.5 V |
| 门极-发射极最大电压 | 20 V |
| JEDEC-95代码 | TO-247AD |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 250 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 268 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大上升时间（tr） | 42 ns |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | MATTE TIN OVER NICKEL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 188 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 78 ns |
| Base Number Matches | 1 |
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