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SMBT3906S

产品描述200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小881KB,共13页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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SMBT3906S概述

200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

200 mA, 40 V, PNP, 硅, 小信号晶体管

SMBT3906S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-G6
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
最大关闭时间(toff)300 ns
最大开启时间(吨)70 ns

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SMBT3906...MMBT3906
PNP Silicon Switching Transistors
High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA
Low collector-emitter saturation voltage
For SMBT3906S and SMBT3906U:
Two (galvanic) internal isolated transistor
with good matching in one package
Complementary types:
SMBT3904...MMBT3904 (NPN)
SMBT3904S / U: for orientation in reel
see package information below
Pb-free (RoHS compliant) package
1)
Qualified according AEC Q101
SMBT3906S/U
C1
6
B2
5
E2
4
TR2
TR1
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07175
Type
SMBT3906/ MMBT3906
SMBT3906S
SMBT3906U
1
Pb-containing
Marking
s2A
s2A
s2A
1=B
Pin Configuration
2=E
3=C
-
-
-
Package
SOT23
1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT363
1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SC74
package may be available upon special request
1
2008-02-29

SMBT3906S相似产品对比

SMBT3906S MMBT3906 SMBT3906_08
描述 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
元件数量 2 1 1
端子数量 6 3 3
表面贴装 YES YES Yes
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING 开关
晶体管元件材料 SILICON SILICON
是否Rohs认证 符合 符合 -
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) -
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 -
针数 6 3 -
Reach Compliance Code unknow compliant -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
最大集电极电流 (IC) 0.2 A 0.2 A -
集电极-发射极最大电压 40 V 40 V -
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS SINGLE -
最小直流电流增益 (hFE) 30 30 -
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G3 -
最高工作温度 150 °C 150 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
极性/信道类型 PNP PNP -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz -
最大关闭时间(toff) 300 ns 300 ns -
最大开启时间(吨) 70 ns 70 ns -

 
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