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BTS7811K

产品描述TrilithIC
产品类别模拟混合信号IC    驱动程序和接口   
文件大小328KB,共18页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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BTS7811K概述

TrilithIC

BTS7811K规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码D2PAK
包装说明, SMSIP15H,.6,55TB
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
内置保护TRANSIENT; OVER CURRENT; THERMAL; UNDER VOLTAGE
驱动器位数4
接口集成电路类型BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码R-PSSO-G15
长度21.6 mm
湿度敏感等级1
功能数量3
端子数量15
输出电流流向SOURCE AND SINK
标称输出峰值电流42 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装等效代码SMSIP15H,.6,55TB
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源8/18 V
认证状态Not Qualified
最大供电电压42 V
最小供电电压1.8 V
标称供电电压12 V
表面贴装YES
技术MOS
端子形式GULL WING
端子节距1.4 mm
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
断开时间250 µs
接通时间220 µs
宽度9.25 mm
Base Number Matches1

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TrilithIC
Data Sheet
1
Overview
BTS 7811K
1.1
Features
• Quad D-MOS switch
• Free configurable as bridge or quad-switch
• Optimized for DC motor management applications
• Low
R
DS ON
: 26 mΩ high-side switch, 14 mΩ low-side
switch (typical values @ 25
°C)
P-TO263-15-1
• Maximum peak current: typ. 42 A @ 25
°C
• Very low quiescent current: typ. 4
µA
@ 25
°C
• Small outline, thermal optimized PowerPak
• Load and GND-short-circuit-protection
• Operates up to 40 V
• Status flag for over temperature
• Open load detection in Off-mode
• Overtemperature shut down with hysteresis
• Internal clamp diodes
• PWM capability up to 25kHz
• Cross current free operation up to 13A load current (typ. value @ 12V/150°C)
• Under-voltage detection with hysteresis
Type
BTS 7811K
1.2
Description
Package
P-TO263-15-1
The
BTS 7811K
is part of the
TrilithIC
family containing three dies in one package:
One double high-side switch and two low-side switches. The drains of these three
vertical DMOS chips are mounted on separated leadframes. The sources are connected
to individual pins, so the
BTS 7811K
can be used in H-bridge- as well as in any other
configuration. The double high-side is manufactured in
SMART SIPMOS
®
technology
which combines low
R
DS ON
vertical DMOS power stages with CMOS control circuit. The
protected high-side switch contains the control and diagnosis circuit. To achieve low
R
DS ON
and fast switching performance, the low-side switches are manufactured in
S-
FET 2
logic level technology.
Data Sheet
1
Rev. 2.0, 2006-07-18
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