25 A, 420 V, N-CHANNEL IGBT, TO-252
25 A, 420 V, N沟道 IGBT, TO-252
| 参数名称 | 属性值 |
| 端子数量 | 2 |
| 额定关断时间 | 22200 ns |
| 最大集电极电流 | 25 A |
| 最大集电极发射极电压 | 420 V |
| 加工封装描述 | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
| 无铅 | Yes |
| 欧盟RoHS规范 | Yes |
| 状态 | ACTIVE |
| 包装形状 | 矩形的 |
| 包装尺寸 | SMALL OUTLINE |
| 表面贴装 | Yes |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子涂层 | MATTE 锡 |
| 端子位置 | 单一的 |
| 包装材料 | 塑料/环氧树脂 |
| 结构 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 AND 电阻 |
| 壳体连接 | COLLECTOR |
| 元件数量 | 1 |
| 晶体管应用 | AUTOMOTIVE IGNITION |
| 晶体管元件材料 | 硅 |
| 通道类型 | N沟道 |
| 晶体管类型 | INSULATED GATE BIPOLAR |
| 额定导通时间 | 4450 ns |
| STGD18N40LZ | STGB18N40LZ | STGB18N40LZ_09 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 25 A, 420 V, N-CHANNEL IGBT, TO-252 | 25 A, 420 V, N-CHANNEL IGBT, TO-252 | 25 A, 420 V, N-CHANNEL IGBT, TO-252 |
| 端子数量 | 2 | 2 | 2 |
| 额定关断时间 | 22200 ns | 22200 ns | 22200 ns |
| 最大集电极电流 | 25 A | 25 A | 25 A |
| 最大集电极发射极电压 | 420 V | 420 V | 420 V |
| 加工封装描述 | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
| 无铅 | Yes | Yes | Yes |
| 欧盟RoHS规范 | Yes | Yes | Yes |
| 状态 | ACTIVE | ACTIVE | ACTIVE |
| 包装形状 | 矩形的 | 矩形的 | 矩形的 |
| 包装尺寸 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 表面贴装 | Yes | Yes | Yes |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子涂层 | MATTE 锡 | MATTE 锡 | MATTE 锡 |
| 端子位置 | 单一的 | 单一的 | 单一的 |
| 包装材料 | 塑料/环氧树脂 | 塑料/环氧树脂 | 塑料/环氧树脂 |
| 结构 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 AND 电阻 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 AND 电阻 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 AND 电阻 |
| 壳体连接 | COLLECTOR | COLLECTOR | COLLECTOR |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 晶体管应用 | AUTOMOTIVE IGNITION | AUTOMOTIVE IGNITION | AUTOMOTIVE IGNITION |
| 晶体管元件材料 | 硅 | 硅 | 硅 |
| 通道类型 | N沟道 | N沟道 | N沟道 |
| 晶体管类型 | INSULATED GATE BIPOLAR | INSULATED GATE BIPOLAR | INSULATED GATE BIPOLAR |
| 额定导通时间 | 4450 ns | 4450 ns | 4450 ns |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
