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BDX10: 产品描述Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小31KB，共1页; 制造商Crimson Semiconductor Inc

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BDX10概述

Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,

	BDX10	2N3055H	2N3055C	BDX10C
描述	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
最大集电极电流 (IC)	15 A	15 A	15 A	15 A
集电极-发射极最大电压	60 V	60 V	60 V	60 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	20	20	20	20
JEDEC-95代码	TO-3	TO-3	TO-3	TO-3
JESD-30 代码	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2
元件数量	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN
功耗环境最大值	115 W	115 W	115 W	115 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	0.8 MHz	0.8 MHz	0.8 MHz	0.8 MHz
VCEsat-Max	1 V	1 V	1 V	1 V

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