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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> BR2500W
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BR2500W

产品描述SILICON BRIDGE RECTIFIERS
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小42KB，共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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BR2500W概述

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

BR2500W规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
包装说明S-PUFM-W4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
最小击穿电压50 V
外壳连接ISOLATED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-30 代码S-PUFM-W4
最大非重复峰值正向电流300 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流25 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
参考标准TS 16949
最大重复峰值反向电压50 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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BR2500W - BR2510W
PRV : 50 - 1000 Volts
Io : 25 Amperes
FEATURES :
*
*
*
*
*
*
High current capability
High surge current capability
High reliability
Low reverse current
Low forward voltage drop
High case dielectric strength
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
BR50W
0.732 (18.6)
0.692 (17.5)
1.130 (28.7)
1.120 (28.4)
0.470 (11.9)
0.430 (10.9)
0.21 (5.3)
0.20 (5.1)
* Pb / RoHS Free
MECHANICAL DATA :
* Case : Molded plastic with heatsink integrally
mounted in the bridge encapsulation
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Terminals : Plated lead solderable per
MIL-STD-202, Method 208 guaranteed
* Polarity : Polarity symbols marked on case
* Mounting position : Bolt down on heat-sink
with silicone thermal compound between
bridge and mounting surface for maximum
heat transfer efficiency
* Weight : 15.95 grams
0.042 (1.06)
0.038 (0.96)
1.2 (30.5)
MIN.
0.310 (7.87)
0.280(7.11)
Dimensions in inches and ( millimeters )
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
RATING
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current Tc = 55
°
C
Peak Forward Surge Current Single half sine wave
Superimposed on rated load (JEDEC Method)
Current Squared Time at t < 8.3 ms.
Maximum Forward Voltage per Diode at 12.5 A
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Ta = 25
°
C
Ta = 100
°
C
SYMBOL
BR
BR
BR
BR
BR
BR
BR
2500W 2501W 2502W 2504W 2506W 2508W 2510W
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
25
300
375
1.1
10
1.0
2
22
- 40 to + 150
- 40 to + 150
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
A
A
2
S
V
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
I
2
t
V
F
I
R
I
R(H)
R
θ
JC
R
θ
JA
T
J
T
STG
µA
mA
°C/W
°C/W
°C
°C
Typical Thermal Resistance at Junction to Case ( Note 1 )
Typical Thermal Resistance at Junction to Ambient
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Notes :
1 ) Thermal resistance from Junction to Case with units mounted on a 5" x 4" x 3" ( 12.7 x 10.2 x 7.3 cm ) Al.-wing plate.
Page 1 of 2
Rev. 02 : March 24, 2005

BR2500W相似产品对比

BR2500W BR2500W_05 BR2508W BR2501W BR2502W BR2504W BR2506W BR2510W
描述 SILICON BRIDGE RECTIFIERS SILICON BRIDGE RECTIFIERS SILICON BRIDGE RECTIFIERS SILICON BRIDGE RECTIFIERS SILICON BRIDGE RECTIFIERS SILICON BRIDGE RECTIFIERS SILICON BRIDGE RECTIFIERS SILICON BRIDGE RECTIFIERS
是否无铅 不含铅 - 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 EIC [EIC discrete Semiconductors] - EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors]
包装说明 S-PUFM-W4 - S-PUFM-W4 S-PUFM-W4 S-PUFM-W4 S-PUFM-W4 S-PUFM-W4 S-PUFM-W4
Reach Compliance Code compliant - compli compliant compliant compliant compli compli
其他特性 HIGH RELIABILITY - HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
最小击穿电压 50 V - 800 V 100 V 200 V 400 V 600 V 1000 V
外壳连接 ISOLATED - ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS - BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE - BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V - 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V
JESD-30 代码 S-PUFM-W4 - S-PUFM-W4 S-PUFM-W4 S-PUFM-W4 S-PUFM-W4 S-PUFM-W4 S-PUFM-W4
最大非重复峰值正向电流 300 A - 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A
元件数量 4 - 4 4 4 4 4 4
相数 1 - 1 1 1 1 1 1
端子数量 4 - 4 4 4 4 4 4
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
最大输出电流 25 A - 25 A 25 A 25 A 25 A 25 A 25 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 SQUARE - SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT - FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
参考标准 TS 16949 - TS 16949 TS 16949 TS 16949 TS 16949 TS 16949 TS 16949
最大重复峰值反向电压 50 V - 800 V 100 V 200 V 400 V 600 V 1000 V
表面贴装 NO - NO NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE - WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 UPPER - UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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