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BR2500W_05: 产品描述SILICON BRIDGE RECTIFIERS; 文件大小42KB，共2页; 制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]

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BR2500W_05概述

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

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BR2500W - BR2510W

PRV : 50 - 1000 Volts

Io : 25 Amperes

FEATURES :

High current capability

High surge current capability

High reliability

Low reverse current

Low forward voltage drop

High case dielectric strength

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

BR50W

0.732 (18.6)

0.692 (17.5)

1.130 (28.7)

1.120 (28.4)

0.470 (11.9)

0.430 (10.9)

0.21 (5.3)

0.20 (5.1)

* Pb / RoHS Free

MECHANICAL DATA :

* Case : Molded plastic with heatsink integrally

mounted in the bridge encapsulation

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Terminals : Plated lead solderable per

MIL-STD-202, Method 208 guaranteed

* Polarity : Polarity symbols marked on case

* Mounting position : Bolt down on heat-sink

with silicone thermal compound between

bridge and mounting surface for maximum

heat transfer efficiency

* Weight : 15.95 grams

0.042 (1.06)

0.038 (0.96)

1.2 (30.5)

MIN.

0.310 (7.87)

0.280(7.11)

Dimensions in inches and ( millimeters )

Rating at 25

C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

RATING

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward Current Tc = 55

Peak Forward Surge Current Single half sine wave

Superimposed on rated load (JEDEC Method)

Current Squared Time at t < 8.3 ms.

Maximum Forward Voltage per Diode at 12.5 A

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

Ta = 25

Ta = 100

SYMBOL

2500W 2501W 2502W 2504W 2506W 2508W 2510W

100

200

140

200

400

280

400

300

375

1.1

1.0

- 40 to + 150

600

420

600

800

560

800

1000

700

1000

UNIT

RRM

RMS

F(AV)

FSM

R(H)

STG

µA

°C/W

°C

Typical Thermal Resistance at Junction to Case ( Note 1 )

Typical Thermal Resistance at Junction to Ambient

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

Notes :

1 ) Thermal resistance from Junction to Case with units mounted on a 5" x 4" x 3" ( 12.7 x 10.2 x 7.3 cm ) Al.-wing plate.

Page 1 of 2

Rev. 02 : March 24, 2005

BR2500W_05相似产品对比

	BR2500W_05	BR2508W	BR2501W	BR2502W	BR2500W	BR2504W	BR2506W	BR2510W
描述	SILICON BRIDGE RECTIFIERS	SILICON BRIDGE RECTIFIERS	SILICON BRIDGE RECTIFIERS	SILICON BRIDGE RECTIFIERS	SILICON BRIDGE RECTIFIERS	SILICON BRIDGE RECTIFIERS	SILICON BRIDGE RECTIFIERS	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
是否无铅	-	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	-	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	-	EIC [EIC discrete Semiconductors]	EIC [EIC discrete Semiconductors]	EIC [EIC discrete Semiconductors]	EIC [EIC discrete Semiconductors]	EIC [EIC discrete Semiconductors]	EIC [EIC discrete Semiconductors]	EIC [EIC discrete Semiconductors]
包装说明	-	S-PUFM-W4	S-PUFM-W4	S-PUFM-W4	S-PUFM-W4	S-PUFM-W4	S-PUFM-W4	S-PUFM-W4
Reach Compliance Code	-	compli	compliant	compliant	compliant	compliant	compli	compli
其他特性	-	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
最小击穿电压	-	800 V	100 V	200 V	50 V	400 V	600 V	1000 V
外壳连接	-	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	-	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	-	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	-	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	-	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V	1.1 V
JESD-30 代码	-	S-PUFM-W4	S-PUFM-W4	S-PUFM-W4	S-PUFM-W4	S-PUFM-W4	S-PUFM-W4	S-PUFM-W4
最大非重复峰值正向电流	-	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A
元件数量	-	4	4	4	4	4	4	4
相数	-	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	-	4	4	4	4	4	4	4
最高工作温度	-	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最低工作温度	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
最大输出电流	-	25 A	25 A	25 A	25 A	25 A	25 A	25 A
封装主体材料	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	-	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	-	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
参考标准	-	TS 16949	TS 16949	TS 16949	TS 16949	TS 16949	TS 16949	TS 16949
最大重复峰值反向电压	-	800 V	100 V	200 V	50 V	400 V	600 V	1000 V
表面贴装	-	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	-	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	-	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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