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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NEZ-3642-4D
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NEZ-3642-4D

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, T-61, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小37KB，共5页
制造商California Eastern Labs
官网地址http://www.cel.com/
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NEZ-3642-4D概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, T-61, 2 PIN

NEZ-3642-4D规格参数

参数名称属性值
厂商名称California Eastern Labs
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压10 V
最大漏极电流 (ID)1.5 A
FET 技术METAL SEMICONDUCTOR
最高频带C BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE

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C-BAND INTERNALLY
MATCHED POWER GaAs MESFET
FEATURES
•
HIGH P
OUT
18 W (42.5 dBm) Typ P
1dB
for NEZ3642-15D
9 W (39.5 dBm) Typ P
1dB
for NEZ3642-8D
4.5 W (36.5 dbm) Typ P
1dB
for NEZ3642-4D
HIGH EFFICIENCY
43%
ηadd
for 4.5W Device
40%
ηadd
for 9W Device
37%
ηadd
for 18W Device
LOW IMD
-45 dBc IM
3
@ 31.5 dBm Pout (S.C.L.) -15DL
-45 dBc IM
3
@ 29 dBm Pout (S.C.L.) -8DL
-45 dBc IM
3
@ 26 dBm Pout (S.C.L.) -4DL
CLASS A OPERATION
INTERNALLY MATCHED (IN/OUT)
INDUSTRY COMPATIBLE HERMETIC
PACKAGES
= 25°C)
NEZ3642-4D
NEZ3642-4DL
T-61
UNITS
dBm
dBm
dBm
%
A
dB
MIN
35.5
NEZ3642-8D
NEZ3642-8DL
T-61
TYP MAX
45
-15D
NEZ3642-15D
NEZ3642-15DL
NEZ3642-8D
NEZ3642-8DL
NEZ3642-4D
NEZ3642-4DL
OUTPUT POWER AND EFFICIENCY
vs. INPUT POWER
100%
40
-8D
-4D
80%
P
OUT
•
35
Efficiency
30
60%
•
40%
25
20%
•
•
•
20
12
17
22
27
32
37
0%
Input Power, P
IN
(dBm)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
PART NUMBER
PACKAGE OUTLINE
SYMBOLS
P
1DB
CHARACTERISTICS
Output Power at P
IdB1
I
D
= 0.8A, RF Off
I
D
= 1.6A,RF Off
I
D
= 4.0A, RF Off
Power Added Efficiency @ P
1dB
Drain Current at P
1dB
Linear Gain
3rd Order Intermodulation
Distortion at
3
Pout = 26 dBm SCL
2
Pout = 29 dBm SCL
2
Pout = 31.5 dBm SCL
2
Saturated Drain Current
V
GS
= 0 V
Pinch Off Voltage
I
DS
= 15mA
I
DS
= 30mA
I
DS
= 60mA
Drain-Gate Breakdown Voltage
I
DG
= 15 mA
I
DG
= 30 mA
I
DG
= 60 mA
Transconductance
I
DS
= IA
I
DS
= 2A
I
DS
= 4A
Thermal Resistance
Channel to Case
Channel Temperature Rise
4
NEZ3642-15D
NEZ3642-15DL
T-65
MIN
TYP MAX
TEST CONDITIONS
V
DS
= 10V
f= 3.6
to 4.2 GHz
Zs = Z
L =
50 ohms
I
DSQ
= 0.5 X I
DSS
V
DS
= I0V
f
1
= 4.19 GHz
f
2
= 4.20 GHZ
2 Equal Tones
TYP MAX MIN
36.5
38.5
43
1.1
39.5
40
2.2
41.5 42.5
37
4.4
9.0
10.0
η
ADD
I
DS
G
L
IM
3
-X DL
Option
Only
I
DSS
V
P
1.5
10.0
3.0
6.0
10.0
11.5
11.0
dBc
dBc
dBc
A
V
V
V
V
V
V
mS
mS
mS
°C/W
°C
1.0
-3.5
-45
-42
-45
-42
-45
-42
14.0
2.3
-2.0
3.5
-0.5
2.0
4.5
7.0
4.0
9.2
V
DS
= 2.5 V
-4.0
-2.0
-0.5
-3.5
-2.2
-0.5
BV
DGO
20
22
20
22
20
1300
2600
5200
5.0
6.0
48
2.5
3.0
48
1.3
1.5
60
22
g
m
R
TH(CH-C)
∆T
(CH-C)
Notes:
1. P
1dB
: Ouptut Power at the 1dB Gain Compression Point
2. S.C.L.: Single Carrier Level
3. Maximum Spec applies to -XDL only.
4.
∆T
(CH-C)
= T
CH
- T
C
= 10 V x I
DSQ
x R
TH (CH - C) MAX
.
California Eastern Laboratories
Power Added Efficiency,
η
ADD
(%)
Output Power, P
OUT
(dBm)

NEZ-3642-4D相似产品对比

NEZ-3642-4D NEZ-3642-8D NEZ-3642-8DL NEZ-3642-15D NEZ-3642-15DL NEZ-3642-4DL
描述 RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, T-61, 2 PIN RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, T-61, 2 PIN RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, T-61, 2 PIN RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, T-65, 2 PIN RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, T-65, 2 PIN RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, T-61, 2 PIN
包装说明 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 HERMETIC SEALED, T-61, 2 PIN FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 HERMETIC SEALED, T-65, 2 PIN HERMETIC SEALED, T-61, 2 PIN
针数 2 2 2 2 2 2
Reach Compliance Code unknown unknown compliant unknown compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 10 V 10 V 10 V 10 V 10 V 10 V
最大漏极电流 (ID) 1.5 A 3 A 3 A 6 A 6 A 1.5 A
FET 技术 METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR
最高频带 C BAND C BAND C BAND C BAND C BAND C BAND
JESD-30 代码 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE
厂商名称 California Eastern Labs - - California Eastern Labs California Eastern Labs California Eastern Labs

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