500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
500 mA, 60 V, PNP, 硅, 小信号晶体管, TO-236
| 参数名称 | 属性值 |
| 端子数量 | 3 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 最大集电极电流 | 0.5000 A |
| 最大集电极发射极电压 | 60 V |
| 加工封装描述 | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN |
| 无铅 | Yes |
| 欧盟RoHS规范 | Yes |
| 中国RoHS规范 | Yes |
| 状态 | ACTIVE |
| 包装形状 | RECTANGULAR |
| 包装尺寸 | SMALL OUTLINE |
| 表面贴装 | Yes |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子涂层 | MATTE TIN |
| 端子位置 | DUAL |
| 包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 结构 | SINGLE |
| 元件数量 | 1 |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大环境功耗 | 0.2250 W |
| 晶体管类型 | GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL |
| 最小直流放大倍数 | 100 |
| 额定交叉频率 | 50 MHz |
| MMBTA55LT1G_10 | MMBTA56LT1G-HFE | MMBTA55LT1G | SMMBTA56LT1G | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 | TRANS PNP 80V 0.5A SOT23 | 额定功率：225mW 集电极电流Ic：500mA 集射极击穿电压Vce：60V 晶体管类型：PNP PNP | |
| 端子数量 | 3 | - | 3 | 3 |
| 表面贴装 | Yes | - | YES | YES |
| 端子形式 | GULL WING | - | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | - | DUAL | DUAL |
| 元件数量 | 1 | - | 1 | 1 |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER | - | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON | SILICON |
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