Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> CY7C1380D-200BGXI

文档预览

CY7C1380D-200BGXI: 产品描述Cache SRAM, 512KX36, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119; 产品类别存储存储; 文件大小554KB，共30页; 制造商Cypress(赛普拉斯); 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

CY7C1380D-200BGXI概述

Cache SRAM, 512KX36, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119

CY7C1380D-200BGXI规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码	BGA
包装说明	14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119
针数	119
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	3 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e1
长度	22 mm
内存密度	18874368 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	119
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.4 mm
最大待机电流	0.07 A
最大压摆率	0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	14 mm

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

CY7C1380D

CY7C1382D

18-Mbit (512K x 36/1M x 18)

Pipelined SRAM

Features

• Supports bus operation up to 250 MHz

• Available speed grades are 250, 200, and 167 MHz

• Registered inputs and outputs for pipelined operation

• 3.3V core power supply

• 2.5V/3.3V I/O power supply

• Fast clock-to-output times

— 2.6 ns (for 250-MHz device)

• Provide high-performance 3-1-1-1 access rate

•

User-selectable burst counter supporting Intel

Pentium

interleaved or linear burst sequences

• Separate processor and controller address strobes

• Synchronous self-timed writes

• Asynchronous output enable

• Single Cycle Chip Deselect

• Available in JEDEC-standard lead-free 100-pin TQFP,

lead-free and non-lead-free 119-ball BGA and 165-ball

FBGA package

• IEEE 1149.1 JTAG-Compatible Boundary Scan

• “ZZ” Sleep Mode Option

Functional Description

[1]

The CY7C1380D/CY7C1382D SRAM integrates 524,288 x 36

and 1,048,576 x 18 SRAM cells with advanced synchronous

peripheral circuitry and a two-bit counter for internal burst

operation. All synchronous inputs are gated by registers

controlled by a positive-edge-triggered Clock Input (CLK). The

synchronous inputs include all addresses, all data inputs,

address-pipelining Chip Enable (CE

), depth-expansion Chip

Enables (CE

and CE

3[2]

), Burst Control inputs (ADSC, ADSP,

and ADV), Write Enables (BW

, and BWE), and Global Write

(GW). Asynchronous inputs include the Output Enable (OE)

and the ZZ pin.

Addresses and chip enables are registered at rising edge of

clock when either Address Strobe Processor (ADSP) or

Address Strobe Controller (ADSC) are active. Subsequent

burst addresses can be internally generated as controlled by

the Advance pin (ADV).

Address, data inputs, and write controls are registered on-chip

to initiate a self-timed Write cycle.This part supports Byte Write

operations (see Pin Descriptions and Truth Table for further

details). Write cycles can be one to two or four bytes wide as

controlled by the byte write control inputs. GW when active

LOW causes all bytes to be written.

The CY7C1380D/CY7C1382D operates from a +3.3V core

power supply while all outputs may operate with either a +2.5

or +3.3V supply. All inputs and outputs are JEDEC-standard

JESD8-5-compatible.

Selection Guide

250 MHz

Maximum Access Time

Maximum Operating Current

Maximum CMOS Standby Current

2.6

350

200 MHz

3.0

300

167 MHz

3.4

275

Unit

Notes:

1. For best-practices recommendations, please refer to the Cypress application note

System Design Guidelines

on www.cypress.com.

2. CE

, CE

are for TQFP and 165 FBGA package only. 119 BGA is offered only in 1 Chip Enable.

Cypress Semiconductor Corporation

Document #: 38-05543 Rev. *D

•

198 Champion Court

•

San Jose

CA 95134-1709

•

408-943-2600

Revised June 23, 2006

CY7C1380D-200BGXI相似产品对比

	CY7C1380D-200BGXI	CY7C1380D-250BGXI	CY7C1380D-200BGI	CY7C1382D-200BGI	CY7C1382D-250BGXI	CY7C1380D-250BGI	CY7C1382D-250BGI	CY7C1382D-200BGXI
描述	Cache SRAM, 512KX36, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119	Cache SRAM, 512KX36, 2.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119	Cache SRAM, 512KX36, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119	Cache SRAM, 1MX18, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119	Cache SRAM, 1MX18, 2.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119	Cache SRAM, 512KX36, 2.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119	Cache SRAM, 1MX18, 2.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119	Cache SRAM, 1MX18, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119
是否Rohs认证	符合	符合	不符合	不符合	符合	不符合	不符合	符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119	14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119	14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119	14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119	14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119	14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119	14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119	14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119
针数	119	119	119	119	119	119	119	119
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	3 ns	2.6 ns	3 ns	3 ns	2.6 ns	2.6 ns	2.6 ns	3 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz	250 MHz	200 MHz	200 MHz	250 MHz	250 MHz	250 MHz	200 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e1	e1	e0	e0	e1	e0	e0	e1
长度	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm
内存密度	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	36	36	36	18	18	36	18	18
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	119	119	119	119	119	119	119	119
字数	524288 words	524288 words	524288 words	1048576 words	1048576 words	524288 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	512000	512000	512000	1000000	1000000	512000	1000000	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	512KX36	512KX36	512KX36	1MX18	1MX18	512KX36	1MX18	1MX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260
电源	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.4 mm	2.4 mm	2.4 mm	2.4 mm	2.4 mm	2.4 mm	2.4 mm	2.4 mm
最大待机电流	0.07 A	0.07 A	0.07 A	0.07 A	0.07 A	0.07 A	0.07 A	0.07 A
最大压摆率	0.3 mA	0.35 mA	0.3 mA	0.3 mA	0.35 mA	0.35 mA	0.35 mA	0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	20	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	20
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)	-	-	Cypress(赛普拉斯)	-	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)

推荐资源

FT245BM与FPGA的USB接口电路设计

MAX1908-8724-8765芯片的内部结构

静态开关的单相转换型UPS电源主电路图

中联F-2250后级功放开关稳压电源电路图

OM2860型电路

增益可变仪表放大电路

新人问题: 买了一个powerpc 8360的开发板，自己调试，问题多多，请教各位： 1.是不是必须要第三方的调试器（BDI2000）才能将程序烧到flash中，可不可以直接烧到SDRAM中在线调试如果可以需要什么东西 ......; mrmt00 嵌入式系统

电压型和电流型变换器有什么区别: 除了输出或输入侧的电感或电容,电压型和电流型变换器有什么区别?假如一个变换器具有电流型变换器的外在特征,比如以电流型整流器(CSR)为例,每个时刻都只有两个开关管导通,且是降压型的变换器,输 ......; jek9528 工业自动化与控制

中国不缺技术，缺的是把技术市场化的能力: 回顾一下龙芯走过的路，我们会说，这点儿痛算什么，龙芯会强大起来。 2001 年5 月，这个具有历史意义的时刻，龙芯课题组正式成立。 2001 年8 月19 日，龙芯1 号设计与验证系统成功启动linux ......; fish001 单片机

MSP-EXP430FR5739实验板套件团购: :):) 这次机会真是难得呀，一个字实惠。前几年买的2407实在是割肉买的，希望论坛多搞些这样的活动，让我这些皮包骨头的人胖起来。...; ltbytyn 微控制器 MCU

想买个电饭锅，但一个问题把我难住了: 过去买的三角（爱德）牌电饭锅，用了N年，虽然发热盘还没坏，但里里外外锈得不成样子了，今天一狠心，想把它扔掉，也该“喜新厌旧”了！然而，在网上找了半天也对不上原来容量的标识：原来 ......; dontium 聊聊、笑笑、闹闹

FPGA频道计划开设视频教程，大家有兴趣吗: 如题。大家有什么建议吗...; qfc FPGA/CPLD

QuickLogic CSSP平台升级方案针对智能手机

2008 年 7 月 9 日 QuickLogic® 公司宣布，为智能手机开发商提供了一种通用的升级方案。 QuickLogic 近期在其针对消费电子的低功率、可配置 CSSP 平台产品功能库中添加了高速 UART ，为移动应用处理器提供了一个高效单芯片解决方案，从而扩充接入能力以支持高传输速率蓝牙，并具备进一步集成其它高水准外设，如 GPS ，的能力。 ...[详细]
支撑产业的落后是半导体产业发展瓶颈

　　没有支撑产业的发展就不可能建立我国自主的半导体产业，只有半导体支撑产业形成完善的配套体系，才能推动半导体行业高速发展。　　我国在“十一五”规划中特别提到，要发展我国自己的半导体产业。我国半导体行业国家“十一五”发展目标包括：集成电路产业年均增长率在30%以上，到2010年将实现3000亿元的销售额，约占当时世界集成电路市场份额的8%。制造业的生产技术达到12英寸、90纳米-65纳米水平。...[详细]
基于中颖电子的SH6613的空调遥控器设计

中颖电子的SH66xx系列4位单片机具有速度快, 功耗低, 结构简单易用,性价比高等特点, 广泛应用于遥控器,各种电器控制, 多功能计算器,万年历,掌上游戏机等产品。SH6613是其中的一款具有双晶振及液晶驱动功能的单片机, 它的基本功能如下: 　　程序存储器(ROM): 4096×16 　　数据存储器(RAM): 512×4 　　输入输出口：8个　　液晶驱动：34×4 　　其中Se...[详细]
看好中国RFID市场普印力中国AIDC新突破

　　这标志着在物流供应链打印中处于全球领先地位的美国普印力PRINTRONIX更加看好中国市场，进一步加大在中国的投资力度，依托国际性分销商和本土的行业巨头进一步深入中国市场。　　来自政府相关部门的领导、自动识别行业专家、行业客户代表以及新闻媒体出席了新闻发布会，普印力全球高级销售总裁James B. McWilson以及大中华区总经理Roger Zhao出席会议，与闪联总裁孙育宁博士现场...[详细]
手机无线芯片出货量放缓但前景可期

　　市场研究集团Forward Concepts通过对WSTS的最新半导体出货量统计数据进行分析，认为尽管出现了手机芯片的出货量放缓现象，但对统计的数据表示质疑。　　手机专用DSP和RISC芯片的五月份出货量比四月份增加了8%，从去年五月份累计增长率为47%。　　Forward Concepts的总裁Will Strauss同时也指出，WSTS的报告称用于无线设备的DSP五月份出货量比四...[详细]
如何应用计算机信息技术防范输液及用药差错

　　1 概述　　药品犹如“双刃剑”，可以治疗疾病，也可引起严重不良后果，药物的这种双重性取决于用药是否合理。不合理用药的危害十分严重，合理用药的必要性不容质疑，问题在于应采用什么手段才能防范不合理用药。　　防范不合理用药的手段主要有：实行临床药师审查制度；医师、护士、药剂人员资格审批制度；采用“合理用药”审查软件，进行合理用药审查。　　美国在实行临床药师审查制度基础上，于1992年制...[详细]
超高频RFID:以核心创优势以竞争促发展

近期，规模庞大、具有显著推广和示范作用的“北京市城市汽车环保检测RFID系统项目”由清华同方、先施科技联合竞投中标。本次竞标成功也意味着，国内超高频RFID品牌在与国际品牌的角逐中胜出。为此，RFID射频快报特别访问了深圳先施科技总经理冯建华先生，就国内与国际品牌各自的竞争优势以及国内品牌如何积极应对国际竞争的问题，与冯总进行了深入交流。　 RFID射频快报记者（以下简称RFID射频快报）：冯...[详细]
NEC设长春分公司主营车用功率半导体

　　为进一步强化车载半导体的销售业务，NEC电子全资子公司日电电子(中国)有限公司日前在吉林省长春市成立分公司，并以技术支持为中心展开营销活动。此次新设立的长春分公司是继NEC电子中国2005年在上海、深圳和成都设立分公司后的第四个分公司。长春分公司成立后，包括NEC电子(中国)北京总部及香港日电电子有限公司在内，NEC电子在中国的营销网点共将达到6个。　　长春分公司成立初期主要以车载用微控...[详细]
TI针对金属应用推出两款低频RFID产品

2008 年 7 月 10 日德州仪器 (TI) 宣布推出 12 毫米多用途楔形应答器及 24 毫米低频圆形电子标签，进一步扩大了其低频产品系列阵营。 12 毫米多用途楔形应答器对芯片电路进行了改进，可直接安装于金属上；而 24 毫米低频圆形电子标签则采用 TI 专利调谐工艺制造而成，可提升废物处理及工业生产等应用...[详细]
消除多路复用DAC的输出错误

　　在某些应用(如数据记录器)中，具有多路复用模拟输出是非常理想的。当一次仅有单个输出有效时，电压输出DAC" 数模转换器 (DAC)和模拟多路复用器可以实现这个需求。你可以使用此类信号来激活桥路。还可能需要双极输出，但是你可能不愿意放弃哪怕是一比特的分辨率。　　要解决第一个问题，设计者通常实现多路复用器(图1a)。但是这种方法有一个严重缺点：输出准确度可能会由于多路复用器的内部阻抗而大大下降...[详细]
微机电系统(MEMS)的繁荣时代已经到来

　　微机电系统(MEMS)正逐渐进入消费品、工业、医药、汽车及计算机应用市场。而且，我们不能忽视它们在仪器、军事和科研行业的稳步进展。显而易见，微机电系统的繁荣时代已经到来。　　在最近的大型展会中的大量演讲都说明了这一事实。MEMS技术的成熟为何如此迅速？许多观察者认为其原因有三：MEMS集成电路测试、原型开发和封装的标准开发，MEMS生产和工艺的进步，以及软件设计工具的改进。　　MEM...[详细]
采用MCU的简化脉搏血氧仪集成设计

　　脉搏血氧仪是一种用于监视病人血氧饱和度的非浸入式仪器，它正受益于从昂贵的分立元件解决方案转向更高集成度的设计。但是，集成意味着需要就采用哪种处理架构做出艰难抉择。　　脉搏血氧仪依赖于脉搏强度或脉动流来进行测量，因此被监视的区域内必须具有良好的血流，而任何阻滞都可能造成测量误差。脉搏血氧仪还能连带计算出脉搏频率，因此大多数脉搏血氧仪都具有这项功能。典型脉搏血氧仪的测量范围介于70%－100...[详细]
BP01型压力传感器在便携血压计中应用

　　1概述 BP01型压力传感器是为监测血压而专门设计的，主要用于便携式电子血压计。它采用精密厚膜陶瓷芯片和尼龙塑料封装，具有高线性、低噪声和外界应力小的特点；采用内部标定和温度补偿方式，从而提高了测量的精度、稳定性以及可重复性，在全量程范围内，精度为±1％，零点失调不大于±300μV。 2 BP01的主要性能参数 BP01的内部等效电路和外形封装如图1所示；表1所列为BP...[详细]
无线型睡眠呼吸暂停症监视系统

　　前言　　睡眠呼吸暂停症是一种很常见的睡眠呼吸疾病，根据研究调查，在美国约有24%的成年男性及9%成年女性或超过200万人口患有此疾病，在中国台湾至少有35万人也有此问题。　　一般在诊断患者是否罹患睡眠呼吸暂停症是指患者在睡眠中出现呼吸暂停和低通气的总次数超过每小时5次。其中呼吸暂停是指在睡眠中，出现10秒以上的呼吸气流消失，低通气是指呼吸气流并未完全停止，只是减少到原来的20%~50%...[详细]
世界首块高血压病基因诊断芯片问世

　　日前，由中南大学周宏灏院士领衔、历经20余年研制的“个体化药物治疗基因诊断芯片和试剂盒系列产品”，通过了市科技局组织的验收。据专家介绍，该芯片是世界上首块可指导高血压病个体化药物治疗的基因芯片。　　项目组专家刘利辉告诉记者，个体化药物治疗基因诊断芯片在攻克高血压诊治难关后，开始向恶性肿瘤、糖尿病等对诊断和用药要求精细的疾患发起总攻。病人就医时，携带存储有药物代谢及药物疗效相关的个体基因“...[详细]

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多