Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> CY7C1382D-250BGXI

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CY7C1382D-250BGXI: 产品描述Cache SRAM, 1MX18, 2.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119; 产品类别存储存储; 文件大小554KB，共30页; 制造商Cypress(赛普拉斯); 标准

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CY7C1382D-250BGXI概述

Cache SRAM, 1MX18, 2.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119

CY7C1382D-250BGXI规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	BGA
包装说明	14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119
针数	119
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	2.6 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	250 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e1
长度	22 mm
内存密度	18874368 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	18
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	119
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.4 mm
最大待机电流	0.07 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.35 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

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CY7C1380D

CY7C1382D

18-Mbit (512K x 36/1M x 18)

Pipelined SRAM

Features

• Supports bus operation up to 250 MHz

• Available speed grades are 250, 200, and 167 MHz

• Registered inputs and outputs for pipelined operation

• 3.3V core power supply

• 2.5V/3.3V I/O power supply

• Fast clock-to-output times

— 2.6 ns (for 250-MHz device)

• Provide high-performance 3-1-1-1 access rate

•

User-selectable burst counter supporting Intel

Pentium

interleaved or linear burst sequences

• Separate processor and controller address strobes

• Synchronous self-timed writes

• Asynchronous output enable

• Single Cycle Chip Deselect

• Available in JEDEC-standard lead-free 100-pin TQFP,

lead-free and non-lead-free 119-ball BGA and 165-ball

FBGA package

• IEEE 1149.1 JTAG-Compatible Boundary Scan

• “ZZ” Sleep Mode Option

Functional Description

[1]

The CY7C1380D/CY7C1382D SRAM integrates 524,288 x 36

and 1,048,576 x 18 SRAM cells with advanced synchronous

peripheral circuitry and a two-bit counter for internal burst

operation. All synchronous inputs are gated by registers

controlled by a positive-edge-triggered Clock Input (CLK). The

synchronous inputs include all addresses, all data inputs,

address-pipelining Chip Enable (CE

), depth-expansion Chip

Enables (CE

and CE

3[2]

), Burst Control inputs (ADSC, ADSP,

and ADV), Write Enables (BW

, and BWE), and Global Write

(GW). Asynchronous inputs include the Output Enable (OE)

and the ZZ pin.

Addresses and chip enables are registered at rising edge of

clock when either Address Strobe Processor (ADSP) or

Address Strobe Controller (ADSC) are active. Subsequent

burst addresses can be internally generated as controlled by

the Advance pin (ADV).

Address, data inputs, and write controls are registered on-chip

to initiate a self-timed Write cycle.This part supports Byte Write

operations (see Pin Descriptions and Truth Table for further

details). Write cycles can be one to two or four bytes wide as

controlled by the byte write control inputs. GW when active

LOW causes all bytes to be written.

The CY7C1380D/CY7C1382D operates from a +3.3V core

power supply while all outputs may operate with either a +2.5

or +3.3V supply. All inputs and outputs are JEDEC-standard

JESD8-5-compatible.

Selection Guide

250 MHz

Maximum Access Time

Maximum Operating Current

Maximum CMOS Standby Current

2.6

350

200 MHz

3.0

300

167 MHz

3.4

275

Unit

Notes:

1. For best-practices recommendations, please refer to the Cypress application note

System Design Guidelines

on www.cypress.com.

2. CE

, CE

are for TQFP and 165 FBGA package only. 119 BGA is offered only in 1 Chip Enable.

Cypress Semiconductor Corporation

Document #: 38-05543 Rev. *D

•

198 Champion Court

•

San Jose

CA 95134-1709

•

408-943-2600

Revised June 23, 2006

CY7C1382D-250BGXI相似产品对比

	CY7C1382D-250BGXI	CY7C1380D-250BGXI	CY7C1380D-200BGI	CY7C1382D-200BGI	CY7C1380D-200BGXI	CY7C1380D-250BGI	CY7C1382D-250BGI	CY7C1382D-200BGXI
描述	Cache SRAM, 1MX18, 2.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119	Cache SRAM, 512KX36, 2.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119	Cache SRAM, 512KX36, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119	Cache SRAM, 1MX18, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119	Cache SRAM, 512KX36, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119	Cache SRAM, 512KX36, 2.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119	Cache SRAM, 1MX18, 2.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119	Cache SRAM, 1MX18, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119
是否Rohs认证	符合	符合	不符合	不符合	符合	不符合	不符合	符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119	14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119	14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119	14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119	14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119	14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119	14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119	14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119
针数	119	119	119	119	119	119	119	119
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	2.6 ns	2.6 ns	3 ns	3 ns	3 ns	2.6 ns	2.6 ns	3 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	250 MHz	250 MHz	200 MHz	200 MHz	200 MHz	250 MHz	250 MHz	200 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e1	e1	e0	e0	e1	e0	e0	e1
长度	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm
内存密度	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	18	36	36	18	36	36	18	18
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	119	119	119	119	119	119	119	119
字数	1048576 words	524288 words	524288 words	1048576 words	524288 words	524288 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	512000	512000	1000000	512000	512000	1000000	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	1MX18	512KX36	512KX36	1MX18	512KX36	512KX36	1MX18	1MX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260
电源	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.4 mm	2.4 mm	2.4 mm	2.4 mm	2.4 mm	2.4 mm	2.4 mm	2.4 mm
最大待机电流	0.07 A	0.07 A	0.07 A	0.07 A	0.07 A	0.07 A	0.07 A	0.07 A
最大压摆率	0.35 mA	0.35 mA	0.3 mA	0.3 mA	0.3 mA	0.35 mA	0.35 mA	0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	20	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	20
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
厂商名称	-	-	-	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)

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