Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 9 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-54
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Micron Technology |
包装说明 | 8 X 9 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-54 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 5.4 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B54 |
JESD-609代码 | e1 |
长度 | 9 mm |
内存密度 | 536870912 bit |
内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 54 |
字数 | 33554432 words |
字数代码 | 32000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 32MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VFBGA |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
座面最大高度 | 1 mm |
自我刷新 | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
宽度 | 8 mm |
MT48H32M16LFBF-75:BTR | MT48H16M32LGCM-6:B | MT48H16M32LFCM-75:BTR | |
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描述 | Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 9 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-54 | Synchronous DRAM, 16MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, 10 X 13 MM, GREEN, VFBGA-90 | Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 10 X 13 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
包装说明 | 8 X 9 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-54 | VFBGA, BGA90,9X15,32 | VFBGA, |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 5.4 ns | 5 ns | 5.4 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B54 | R-PBGA-B90 | R-PBGA-B90 |
JESD-609代码 | e1 | e1 | e1 |
长度 | 9 mm | 13 mm | 13 mm |
内存密度 | 536870912 bit | 536870912 bit | 536870912 bit |
内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM | SYNCHRONOUS DRAM | SYNCHRONOUS DRAM |
内存宽度 | 16 | 32 | 32 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 54 | 90 | 90 |
字数 | 33554432 words | 16777216 words | 16777216 words |
字数代码 | 32000000 | 16000000 | 16000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 32MX16 | 16MX32 | 16MX32 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VFBGA | VFBGA | VFBGA |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 | 260 |
座面最大高度 | 1 mm | 1 mm | 1 mm |
自我刷新 | YES | YES | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V | 1.95 V | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
表面贴装 | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式 | BALL | BALL | BALL |
端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | 30 |
宽度 | 8 mm | 10 mm | 10 mm |
厂商名称 | Micron Technology | - | Micron Technology |
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