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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRHQ7110
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IRHQ7110

产品描述Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.6ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC-28
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小200KB，共8页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IRHQ7110概述

Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.6ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC-28

IRHQ7110规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明LCC-28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级（Eas）85 mJ
配置SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3 A
最大漏极电流 (ID)3 A
最大漏源导通电阻0.6 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-CQCC-N28
JESD-609代码e0
元件数量4
端子数量28
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)12 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)12 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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PD-93785B
RADIATION HARDENED
POWER MOSFET
SURFACE MOUNT (LCC-28)
Product Summary
Part Number Radiation Level
IRHQ7110
100K Rads (Si)
IRHQ3110
300K Rads (Si)
IRHQ4110
IRHQ8110
600K Rads (Si)
1000K Rads (Si)
R
DS(on)
0.6Ω
0.6Ω
0.6Ω
0.75Ω
I
D
3.0A
3.0A
3.0A
3.0A
IRHQ7110
100V, QUAD N-CHANNEL
RAD-Hard HEXFET
MOSFET TECHNOLOGY
™
®
LCC-28
International Rectifier’s RAD-Hard
TM
HEXFET
®
MOSFET
technology provides high performance power MOSFETs
for space applications. This technology has over a
decade of proven performance and reliability in satellite
applications. These devices have been characterized
for both Total Dose and Single Event Effects (SEE). The
combination of low R
DS(on)
and low gate charge reduces
the power losses in switching applications such as DC
to DC converters and motor control. These devices retain
all of the well established advantages of MOSFETs such
as voltage control, fast switching, ease of paralleling
and temperature stability of electrical parameters.
Features:
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened
Low R
DS(on)
Low Total Gate Charge
Proton Tolerant
Simple Drive Requirements
Ease of Paralleling
Hermetically Sealed
Ceramic Package
Surface Mount
Light Weight
Absolute Maximum Ratings (Per Die)
Parameter
ID @ VGS = 12V, TC = 25°C
ID @ VGS = 12V, TC = 100°C
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
TJ
T STG
Continuous Drain Current
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
À
Max. Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
Á
Avalanche Current
À
Repetitive Avalanche Energy
À
Peak Diode Recovery dv/dt
Â
Operating Junction
Storage Temperature Range
Pckg. Mounting Surface Temp.
Weight
For footnotes refer to the last page
300 (for 5s)
0.89 (Typical)
3.0
1.9
12
12
0.1
±20
85
3.0
1.2
3.0
-55 to 150
Pre-Irradiation
Units
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
°C
g
www.irf.com
1
07/20/11

IRHQ7110相似产品对比

IRHQ7110 IRHQ3110 IRHQ3110PBF IRHQ4110PBF IRHQ7110PBF IRHQ7110SCS IRHQ8110PBF
描述 Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.6ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC-28 Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.6ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC-28 Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.6ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-28 Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.6ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-28 Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.6ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-28 Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC-28 Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.75ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-28
是否Rohs认证 不符合 不符合 符合 符合 符合 不符合 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
包装说明 LCC-28 LCC-28 CHIP CARRIER, S-CQCC-N28 CHIP CARRIER, S-CQCC-N28 CHIP CARRIER, S-CQCC-N28 LCC-28 CHIP CARRIER, S-CQCC-N28
Reach Compliance Code unknown unknown compliant compliant compliant unknown compliant
雪崩能效等级（Eas） 85 mJ 85 mJ 85 mJ 85 mJ 85 mJ 85 mJ 85 mJ
配置 SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V
最大漏极电流 (ID) 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A
最大漏源导通电阻 0.6 Ω 0.6 Ω 0.6 Ω 0.6 Ω 0.6 Ω 0.6 Ω 0.75 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 S-CQCC-N28 S-CQCC-N28 S-CQCC-N28 S-CQCC-N28 S-CQCC-N28 S-CQCC-N28 S-CQCC-N28
元件数量 4 4 4 4 4 1 4
端子数量 28 28 28 28 28 28 28
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 12 A 12 A 12 A 12 A 12 A 12 A 12 A
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C - 150 °C

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