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SFF50N50MUBTXV

产品描述Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 500V, 0.175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小119KB,共2页
制造商SSDI
官网地址http://www.ssdi-power.com/
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SFF50N50MUBTXV概述

Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 500V, 0.175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254, 3 PIN

SFF50N50MUBTXV规格参数

参数名称属性值
厂商名称SSDI
零件包装代码TO-254AA
包装说明FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)1500 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (ID)27 A
最大漏源导通电阻0.175 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-254AA
JESD-30 代码S-XSFM-P3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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