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SE2A

产品描述SURFACE MOUNT HIGH EFFICIENT RECTIFIERS
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小48KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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SE2A概述

SURFACE MOUNT HIGH EFFICIENT RECTIFIERS

SE2A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codecompli
其他特性HIGH RELIABILITY
应用EFFICIENCY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流75 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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SE2A - SE2M
PRV : 50 - 1000 Volts
Io : 2.0 Amperes
FEATURES :
*
*
*
*
*
*
High current capability
High surge current capability
High reliability
Low reverse current
Low forward voltage drop
Fast switching for high efficiency
SURFACE MOUNT
HIGH EFFICIENT RECTIFIERS
SMB (DO-214AA)
1.1
±
0.3
5.4
±
0.15
4.8
±
0.15
2.0
±
0.1
3.6
±
0.15
2.3
±
0.2
0.22
±
0.07
* Pb / RoHS Free
MECHANICAL DATA :
* Case : SMB Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Lead Formed for Surface Mount
* Polarity : Color band denotes cathode end
* Mounting position : Any
* Weight : 0.1079 gram
Dimensions in millimeter
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
RATING
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current
Ta = 55
°C
Maximum Peak Forward Surge Current,
8.3ms Single half sine wave superimposed
on rated load (JEDEC Method)
Maximum Forward Voltage at I
F
= 2.0 A
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Ta = 25
°C
Ta = 100
°C
SYMBOL
SE2A SE2B SE2D SE2E SE2G SE2J SE2K SE2M
UNIT
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
50
35
50
100
70
100
200
140
200
300
210
300
400
280
400
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
2.0
75
V
F
I
R
I
R(H)
Trr
1.1
10
50
50
50
- 65 to + 150
- 65 to + 150
1.7
V
µA
µA
Maximum Reverse Recovery Time ( Note 1 )
Typical Junction Capacitance ( Note 2 )
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
75
ns
pf
°C
°C
C
J
T
J
T
STG
Notes :
( 1 ) Reverse Recovery Test Conditions : I
F
= 0.5 A, I
R
= 1.0 A, Irr = 0.25 A.
( 2 ) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V
DC
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