MR27V852DRA概述

OTP ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, 2.54 MM PITCH, PLASTIC, DIP-42

MR27V852DRA规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	LAPIS Semiconductor Co Ltd
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP42,.6
针数	42
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	100 ns
备用内存宽度	8
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDIP-T42
JESD-609代码	e0
长度	52 mm
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	OTP ROM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	42
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP42,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.15 mm
最大待机电流	0.00005 A
最大压摆率	0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	15.24 mm

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Dear customers,

About the change in the name such as "Oki Electric Industry Co. Ltd." and

"OKI" in documents to OKI Semiconductor Co., Ltd.

The semiconductor business of Oki Electric Industry Co., Ltd. was succeeded to OKI

Semiconductor Co., Ltd. on October 1, 2008.

Therefore, please accept that although

the terms and marks of "Oki Electric Industry Co., Ltd.", “Oki Electric”, and "OKI"

remain in the documents, they all have been changed to "OKI Semiconductor Co., Ltd.".

It is a change of the company name, the company trademark, and the logo, etc. , and

NOT a content change in documents.

October 1, 2008

OKI Semiconductor Co., Ltd.

550-1 Higashiasakawa-cho, Hachioji-shi, Tokyo 193-8550, Japan

http://www.okisemi.com/en/

MR27V852DRA相似产品对比

	MR27V852DRA	MR27V852DMA	MR27V852DTP
描述	OTP ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, 2.54 MM PITCH, PLASTIC, DIP-42	OTP ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOP-44	OTP ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
厂商名称	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd	LAPIS Semiconductor Co Ltd
零件包装代码	DIP	SOIC	TSOP2
包装说明	DIP, DIP42,.6	SOP, SOP44,.63	TSOP2, TSOP44,.46,32
针数	42	44	44
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	100 ns	100 ns	100 ns
备用内存宽度	8	8	8
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDIP-T42	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44
JESD-609代码	e0	e0	e0
长度	52 mm	28.15 mm	18.41 mm
内存密度	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit
内存集成电路类型	OTP ROM	OTP ROM	OTP ROM
内存宽度	16	16	16
功能数量	1	1	1
端子数量	42	44	44
字数	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C
组织	512KX16	512KX16	512KX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	SOP	TSOP2
封装等效代码	DIP42,.6	SOP44,.63	TSOP44,.46,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.15 mm	3.1 mm	1.2 mm
最大待机电流	0.00005 A	0.00005 A	0.00005 A
最大压摆率	0.08 mA	0.08 mA	0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	15.24 mm	13 mm	10.16 mm

MR27V852DRA

MR27V852DRA概述

MR27V852DRA规格参数

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