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SF806GC0

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 4A, 400V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小394KB,共3页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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SF806GC0概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 4A, 400V V(RRM), Silicon, TO-220AB,

SF806GC0规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流4 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

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CREAT BY ART
SF801G - SF808G
8.0AMPS. Glass Passivated Super Fast Rectifiers
TO-220AB
Features
High efficiency, low VF
High current capavility
High reliability
High surge current capability
Low power loss.
For use in low voltage, high frequency inverter,
free wheeling, and polarity protection
application
Green compound with suffix "G" on packing
code & prefix "G" on datecode.
Mechanical Data
Case: TO-220AB Molded plastic
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
Terminals: Pure tin plated, lead free. Solderable per
MIL-STD-202, Method 208 guaranteed
Polarity: As marked
High temperature soldering guaranteed:
260
o
C/10 seconds 16".,(4.06mm) from case.
Weight: 1.90 grams
Ordering Information(example)
Part No.
SF801G
Package
Packing
Packing code
C0
Packing code
(Green)
C0G
TO-220AB 50 / TUBE
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Parameter
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave
Superimposed on Rated Load (JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1)
@4A
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
@ T
A
=25
@ T
A
=100
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
Trr
Cj
R
θJC
T
J
T
STG
SF
801G
50
35
50
SF
802G
100
70
100
SF
803G
150
105
150
SF
804G
200
140
200
8
SF
805G
300
210
300
SF
806G
400
280
400
SF
807G
500
350
500
SF
808G
600
480
600
Units
V
V
V
A
A
125
0.975
10
400
35
70
3
- 55 to + 150
- 55 to + 150
50
O
1.3
1.7
V
uA
uA
nS
pF
C/W
O
O
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)
Typical Junction Capacitance (Note 3)
Typical Thermal Resistance
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Note 1: Pulse Test with PW=300 usec, 1% Duty Cycle
C
C
Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A.
Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V D.C.
Version:G13
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