Standard SRAM, 1MX18, 2.3ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-209
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | SONY(索尼) |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | BGA, BGA209,11X19,40 |
| 针数 | 209 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 2.3 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 227 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B209 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 22 mm |
| 内存密度 | 18874368 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 18 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 209 |
| 字数 | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 1MX18 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | BGA |
| 封装等效代码 | BGA209,11X19,40 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 电源 | 1.5/1.8,1.8 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.3 mm |
| 最大待机电流 | 0.25 A |
| 最小待机电流 | 1.7 V |
| 最大压摆率 | 0.42 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 1 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
| 宽度 | 14 mm |
| CXK79M18C160GB-44 | CXK79M36C160GB-44 | CXK79M72C160GB-44 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Standard SRAM, 1MX18, 2.3ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-209 | Standard SRAM, 512KX36, 2.3ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-209 | Standard SRAM, 256KX72, 2.3ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-209 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | SONY(索尼) | SONY(索尼) | SONY(索尼) |
| 零件包装代码 | BGA | BGA | BGA |
| 包装说明 | BGA, BGA209,11X19,40 | BGA, BGA209,11X19,40 | BGA, BGA209,11X19,40 |
| 针数 | 209 | 209 | 209 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 2.3 ns | 2.3 ns | 2.3 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 227 MHz | 227 MHz | 227 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B209 | R-PBGA-B209 | R-PBGA-B209 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 22 mm | 22 mm | 22 mm |
| 内存密度 | 18874368 bit | 18874368 bit | 18874368 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 18 | 36 | 72 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 209 | 209 | 209 |
| 字数 | 1048576 words | 524288 words | 262144 words |
| 字数代码 | 1000000 | 512000 | 256000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 组织 | 1MX18 | 512KX36 | 256KX72 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | BGA | BGA | BGA |
| 封装等效代码 | BGA209,11X19,40 | BGA209,11X19,40 | BGA209,11X19,40 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 | 240 | 240 |
| 电源 | 1.5/1.8,1.8 V | 1.5/1.8,1.8 V | 1.5/1.8,1.8 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.3 mm | 2.3 mm | 2.3 mm |
| 最大待机电流 | 0.25 A | 0.25 A | 0.25 A |
| 最小待机电流 | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V |
| 最大压摆率 | 0.42 mA | 0.51 mA | 0.7 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V | 1.95 V | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | OTHER | OTHER | OTHER |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | BALL | BALL | BALL |
| 端子节距 | 1 mm | 1 mm | 1 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 | 10 | 10 |
| 宽度 | 14 mm | 14 mm | 14 mm |
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