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HY62VT08081E-DG10E

产品描述Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28
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文件大小269KB,共11页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY62VT08081E-DG10E概述

Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28

HY62VT08081E-DG10E规格参数

参数名称属性值
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP28,.5
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间100 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G28
长度18.39 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织32KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP28,.5
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.1496 mm
最小待机电流2 V
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度8.69 mm
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