电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

HY62V256LJ-85

产品描述Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28
产品类别存储    存储   
文件大小179KB,共13页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

HY62V256LJ-85概述

Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28

HY62V256LJ-85规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP28,.5
针数28
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间55 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G28
JESD-609代码e0
长度18.39 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP28,.5
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.1496 mm
最大待机电流0.000015 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8.69 mm

HY62V256LJ-85相似产品对比

HY62V256LJ-85 HY62V256LR1-85 HY62V256LT1-85 HY62V256LP-85
描述 Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28 Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP1-28 Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP1-28 Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 SOIC TSOP TSOP DIP
包装说明 SOP, SOP28,.5 TSOP1-R, TSSOP28,.53,22 TSOP1, TSSOP28,.53,22 DIP, DIP28,.6
针数 28 28 28 28
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 55 ns 55 ns 55 ns 55 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28 R-PDIP-T28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 18.39 mm 11.8 mm 11.8 mm 37 mm
内存密度 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28
字数 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000 32000 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP TSOP1-R TSOP1 DIP
封装等效代码 SOP28,.5 TSSOP28,.53,22 TSSOP28,.53,22 DIP28,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3.3/5 V 3.3/5 V 3.3/5 V 3.3/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.1496 mm 1.2 mm 1.2 mm 4.953 mm
最大待机电流 0.000015 A 0.000015 A 0.000015 A 0.000015 A
最小待机电流 2 V 2 V 2 V 2 V
最大压摆率 0.07 mA 0.07 mA 0.07 mA 0.07 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 0.55 mm 0.55 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 8.69 mm 8 mm 8 mm 15.24 mm

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 923  418  2844  1874  749  2  5  44  51  17 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved