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BDB01CRLRB

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小93KB,共3页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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BDB01CRLRB概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

BDB01CRLRB规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
基于收集器的最大容量30 pF
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-W3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值2.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz
VCEsat-Max0.7 V

BDB01CRLRB相似产品对比

BDB01CRLRB BDB01CZL1 BDB01CRLRE BDB01CRL1 BDB01CRLRA BDB01CRLRP BDB01CRLRF BDB01CRLRM BDB01CRL
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A
基于收集器的最大容量 30 pF 30 pF 30 pF 30 pF 30 pF 30 pF 30 pF 30 pF 30 pF
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 25 25 25 25 25 25 25 25 25
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN
功耗环境最大值 2.5 W 2.5 W 2.5 W 2.5 W 2.5 W 2.5 W 2.5 W 2.5 W 2.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 50 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz
VCEsat-Max 0.7 V 0.7 V 0.7 V 0.7 V 0.7 V 0.7 V 0.7 V 0.7 V 0.7 V
厂商名称 Motorola ( NXP ) - Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )

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