IC BUFFER AMPLIFIER, MBCY12, METAL CAN, TO-8, 12 PIN, Buffer Amplifier
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) |
| 零件包装代码 | TO-8 |
| 包装说明 | METAL CAN, TO-8, 12 PIN |
| 针数 | 12 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | BUFFER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 25 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 125 MHz |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 25 µA |
| 最大输入失调电压 | 35000 µV |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W12 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 负供电电压上限 | -20 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 12 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -25 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装代码 | TO-8 |
| 封装等效代码 | QUAD12,.4SQ |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最小摆率 | 1000 V/us |
| 标称压摆率 | 1400 V/us |
| 最大压摆率 | 20 mA |
| 供电电压上限 | 20 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| HOS-100AH | HOS-100SH | |
|---|---|---|
| 描述 | IC BUFFER AMPLIFIER, MBCY12, METAL CAN, TO-8, 12 PIN, Buffer Amplifier | IC BUFFER AMPLIFIER, MBCY12, METAL CAN, TO-8, 12 PIN, Buffer Amplifier |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) | ADI(亚德诺半导体) |
| 零件包装代码 | TO-8 | TO-8 |
| 包装说明 | METAL CAN, TO-8, 12 PIN | METAL CAN, TO-8, 12 PIN |
| 针数 | 12 | 12 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | BUFFER | BUFFER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 25 µA | 25 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 125 MHz | 125 MHz |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 25 µA | 20 µA |
| 最大输入失调电压 | 35000 µV | 25000 µV |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W12 | O-MBCY-W12 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 负供电电压上限 | -20 V | -20 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 12 | 12 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -25 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | METAL | METAL |
| 封装代码 | TO-8 | TO-8 |
| 封装等效代码 | QUAD12,.4SQ | QUAD12,.4SQ |
| 封装形状 | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-15 V | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 最小摆率 | 1000 V/us | 1000 V/us |
| 标称压摆率 | 1400 V/us | 1500 V/us |
| 最大压摆率 | 20 mA | 16 mA |
| 供电电压上限 | 20 V | 20 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR |
| 温度等级 | OTHER | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE | WIRE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
测评中心专版
嵌入式系统
传感器
PCB设计
嵌入式系统
DIY/开源硬件专区
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
