电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

JANKCCD826

产品描述Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.84%, Silicon, DIE-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小205KB,共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
下载文档 详细参数 全文预览

JANKCCD826概述

Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.84%, Silicon, DIE-3

JANKCCD826规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
零件包装代码DIE
包装说明S-XXSS-N3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码S-XXSS-N3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式SPECIAL SHAPE
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500
标称参考电压6.2 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式NO LEAD
端子位置UNSPECIFIED
电压温度Coeff-Max0.124 mV/°C
最大电压容差4.84%

文档预览

下载PDF文档
TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http://www.microsemi.com
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland
Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298
ZENER DIODE
– Monolithic Temperature Compensated Zener Reference Chips
– All Junctions Completely Protected with Silicon Dioxide
– Electrically Equivalent to 1N821 Thru 1N829
– Compatible with all Wire Bonding and Die Attach Techniques with
the Exception of Solder Reflow
QUALIFIED LEVELS
DEVICES
CD821 thru CD829A
JANHC
JANKC
MAXIMUM RATING AT 25°C
Operating Temperature:
-65°C to +175°C
Storage Temperature:
-65°C to +175°C
REVERSE LEAKAGE CURRENT
I
R
= 2μA @ 25°C & V
R
= 3Vdc
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C, unless otherwise specified)
TYPE
NUMBER
ZENER
VOLTAGE
ZENER
TEST
CURRENT
MAXIMUM
ZENER
IMPEDANCE
-55° to +100°
VOLTAGE
TEMPERATURE
STABILITY
3
A
T
C
EFFECTIVE
TEMPERATURE
COEFFICIENT
CD821
CD821A
CD823
CD823A
CD825
CD825A
CD826
CD827
CD827A
CD828
CD829
CD829A
V
ZT
@ I
ZT
VOLTS
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
6.2 – 6.9
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
I
ZT
mA
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
Z
ZT
(Note 1)
OHMS
15
13
15
13
15
13
15
15
13
15
15
13
V
ZT
(Note 2)
mV
96
96
48
48
19
19
20
9
9
10
5
5
% / °C
0.01
0.01
0.005
0.005
0.002
0.002
0.002
0.001
0.001
0.001
0.0005
0.0005
NOTE:
1. Zener impedance is derived by superimposing on I
ZT
A 60Hz rms a.c. current equal to 10%
of I
ZT
.
2. The maximum allowable change observed over the entire temperature range i.e., the diode
voltage will not exceed the specified mV at any discrete temperature between the
established limits, per JEDEC standard No.5
LDS-0052 Rev. 1 (101557)
Page 1 of 3

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 736  2535  448  2288  58  15  52  10  47  2 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved