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MU81000BCX-25

产品描述OTP ROM, 1MX8, CMOS, CDIP48
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文件大小472KB,共8页
制造商APTA Group Inc
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MU81000BCX-25概述

OTP ROM, 1MX8, CMOS, CDIP48

MU81000BCX-25规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称APTA Group Inc
包装说明DIP, DIP48,1.2
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间250 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDIP-T48
JESD-609代码e0
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型OTP ROM
内存宽度8
端子数量48
字数1048576 words
字数代码1000000
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织1MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP48,1.2
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B (Modified)
最大待机电流0.0072 A
最大压摆率0.068 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

MU81000BCX-25相似产品对比

MU81000BCX-25 MU81000BCX-30
描述 OTP ROM, 1MX8, CMOS, CDIP48 OTP ROM, 1MX8, CMOS, CDIP48
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 DIP, DIP48,1.2 DIP, DIP48,1.2
Reach Compliance Code unknown unknown
最长访问时间 250 ns 300 ns
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDIP-T48 R-XDIP-T48
JESD-609代码 e0 e0
内存密度 8388608 bit 8388608 bit
内存集成电路类型 OTP ROM OTP ROM
内存宽度 8 8
端子数量 48 48
字数 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
组织 1MX8 1MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP DIP
封装等效代码 DIP48,1.2 DIP48,1.2
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
电源 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
筛选级别 MIL-STD-883 Class B (Modified) MIL-STD-883 Class B (Modified)
最大待机电流 0.0072 A 0.0072 A
最大压摆率 0.068 mA 0.068 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
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