OTP ROM, 1MX8, CMOS, CDIP48
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | DIP, DIP48,1.2 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 300 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T48 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型 | OTP ROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 端子数量 | 48 |
| 字数 | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 1MX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP48,1.2 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
| 最大待机电流 | 0.0072 A |
| 最大压摆率 | 0.068 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| Base Number Matches | 1 |
| MU81000BCX-30 | MU81000BCX-25 | |
|---|---|---|
| 描述 | OTP ROM, 1MX8, CMOS, CDIP48 | OTP ROM, 1MX8, CMOS, CDIP48 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | DIP, DIP48,1.2 | DIP, DIP48,1.2 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 最长访问时间 | 300 ns | 250 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T48 | R-XDIP-T48 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 8388608 bit | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型 | OTP ROM | OTP ROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 |
| 端子数量 | 48 | 48 |
| 字数 | 1048576 words | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 | 1000000 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 1MX8 | 1MX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP48,1.2 | DIP48,1.2 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 Class B (Modified) | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
| 最大待机电流 | 0.0072 A | 0.0072 A |
| 最大压摆率 | 0.068 mA | 0.068 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
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