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BR806

产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 6A, 600V V(RRM), Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小220KB,共2页
制造商Rectron
标准
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BR806概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 6A, 600V V(RRM), Silicon

BR806规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Rectron
包装说明R-PUFM-W4
Reach Compliance Codecompliant
最小击穿电压600 V
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-30 代码R-PUFM-W4
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度125 °C
最大输出电流6 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置UPPER

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RECTRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL SPECIFICATION
BR805
THRU
BR810
SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 8.0 Amperes
FEATURES
*
*
*
*
Surge overloab rating: 125 amperes peak
Low forward voltage drop
Mounting position: Any
Mounting: Hole thru for # 6 screw
BR-8
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS
(At T
A
= 25
o
C unless otherwise noted)
RATINGS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Tc = 50
o
C
Rectified Output Current at: Tc = 100
o
C
T
A
= 50 C
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
I
FSM
T
J
T
STG
o
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
BR805
50
35
50
BR801
100
70
100
BR802
200
140
200
BR804
400
280
400
8.0
6.0
6.0
125
-55 to + 125
-55 to + 150
BR806
600
420
600
BR808
800
560
800
BR810
1000
700
1000
UNITS
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
0
0
C
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(At T
A
= 25
o
C unless otherwise noted)
CHARACTERISTICS
Maximum Forward Voltage Drop per element at 4.0A DC
Maximum Reverse Current at Rated
DC Blocking Voltage per element
@T
A
= 25
o
C
@T
C
= 100 C
o
SYMBOL
V
F
I
R
BR1005
BR101
BR102
BR104
1.1
10
0.2
BR106
BR108
BR1010 UNITS
Volts
uAmps
mAmps
1998-8
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BR806相似产品对比

BR806 BR808
描述 Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 6A, 600V V(RRM), Silicon Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 6A, 800V V(RRM), Silicon
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Rectron Rectron
包装说明 R-PUFM-W4 R-PUFM-W4
Reach Compliance Code compliant compliant
最小击穿电压 600 V 800 V
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V 1.1 V
JESD-30 代码 R-PUFM-W4 R-PUFM-W4
湿度敏感等级 1 1
最大非重复峰值正向电流 125 A 125 A
元件数量 4 4
相数 1 1
端子数量 4 4
最高工作温度 125 °C 125 °C
最大输出电流 6 A 6 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 600 V 800 V
表面贴装 NO NO
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 UPPER UPPER
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