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2N7301D

产品描述46A, 200V, 0.07ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小143KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2N7301D概述

46A, 200V, 0.07ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE

2N7301D规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性RADIATION HARDENED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)46 A
最大漏源导通电阻0.07 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-204AE
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)100 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)1200 ns
最大开启时间(吨)950 ns
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