Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 200V V(RRM), Silicon,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Microsemi |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| 其他特性 | LOW FORWARD VOLTAGE, LOW LEAKAGE CURRENT |
| 应用 | GENERAL PURPOSE |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 0.9 V |
| JESD-30 代码 | O-XADB-W2 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 400 A |
| 元件数量 | 1 |
| 相数 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 最大输出电流 | 6 A |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | DISK BUTTON |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 200 V |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| MR752 | MR754 | MR756 | MR758 | HVPS2E2104ABX | MR751 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 200V V(RRM), Silicon, | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 400V V(RRM), Silicon | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 600V V(RRM), Silicon | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 800V V(RRM), Silicon | RESISTOR, 0.25 W, 0.05 %, 25 ppm, 2100000 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, SIP | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 100V V(RRM), Silicon |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant | unknown | not_compliant |
| 其他特性 | LOW FORWARD VOLTAGE, LOW LEAKAGE CURRENT | LOW FORWARD VOLTAGE, LOW LEAKAGE CURRENT | LOW FORWARD VOLTAGE, LOW LEAKAGE CURRENT | LOW FORWARD VOLTAGE, LOW LEAKAGE CURRENT | PRECISION | LOW FORWARD VOLTAGE, LOW LEAKAGE CURRENT |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 端子数量 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 125 °C | 175 °C |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND | RECTANGULAR PACKAGE | ROUND |
| 封装形式 | DISK BUTTON | DISK BUTTON | DISK BUTTON | DISK BUTTON | Radial | DISK BUTTON |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 厂商名称 | Microsemi | Microsemi | Microsemi | Microsemi | - | Microsemi |
| 应用 | GENERAL PURPOSE | GENERAL PURPOSE | GENERAL PURPOSE | GENERAL PURPOSE | - | GENERAL PURPOSE |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE | - | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON | - | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | - | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 0.9 V | 0.9 V | 0.9 V | 0.9 V | - | 0.9 V |
| JESD-30 代码 | O-XADB-W2 | O-XADB-W2 | O-XADB-W2 | O-XADB-W2 | - | O-XADB-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 400 A | 400 A | 400 A | 400 A | - | 400 A |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | - | 1 |
| 相数 | 1 | 1 | 1 | 1 | - | 1 |
| 最大输出电流 | 6 A | 6 A | 6 A | 6 A | - | 6 A |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | - | UNSPECIFIED |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 200 V | 400 V | 600 V | 800 V | - | 100 V |
| 端子形式 | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE | - | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL | AXIAL | AXIAL | AXIAL | - | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
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