Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 800V V(RRM), Silicon
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Microsemi |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Is Samacsys | N |
其他特性 | LOW FORWARD VOLTAGE, LOW LEAKAGE CURRENT |
应用 | GENERAL PURPOSE |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 0.9 V |
JESD-30 代码 | O-XADB-W2 |
JESD-609代码 | e0 |
最大非重复峰值正向电流 | 400 A |
元件数量 | 1 |
相数 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C |
最大输出电流 | 6 A |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | DISK BUTTON |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 800 V |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 |
MR758 | MR754 | MR756 | HVPS2E2104ABX | MR751 | MR752 | |
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描述 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 800V V(RRM), Silicon | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 400V V(RRM), Silicon | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 600V V(RRM), Silicon | RESISTOR, 0.25 W, 0.05 %, 25 ppm, 2100000 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, SIP | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 100V V(RRM), Silicon | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 200V V(RRM), Silicon, |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant | unknown | not_compliant | not_compliant |
其他特性 | LOW FORWARD VOLTAGE, LOW LEAKAGE CURRENT | LOW FORWARD VOLTAGE, LOW LEAKAGE CURRENT | LOW FORWARD VOLTAGE, LOW LEAKAGE CURRENT | PRECISION | LOW FORWARD VOLTAGE, LOW LEAKAGE CURRENT | LOW FORWARD VOLTAGE, LOW LEAKAGE CURRENT |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
端子数量 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 125 °C | 175 °C | 175 °C |
封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | RECTANGULAR PACKAGE | ROUND | ROUND |
封装形式 | DISK BUTTON | DISK BUTTON | DISK BUTTON | Radial | DISK BUTTON | DISK BUTTON |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
厂商名称 | Microsemi | Microsemi | Microsemi | - | Microsemi | Microsemi |
应用 | GENERAL PURPOSE | GENERAL PURPOSE | GENERAL PURPOSE | - | GENERAL PURPOSE | GENERAL PURPOSE |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | - | SINGLE | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | - | SILICON | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | - | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 0.9 V | 0.9 V | 0.9 V | - | 0.9 V | 0.9 V |
JESD-30 代码 | O-XADB-W2 | O-XADB-W2 | O-XADB-W2 | - | O-XADB-W2 | O-XADB-W2 |
最大非重复峰值正向电流 | 400 A | 400 A | 400 A | - | 400 A | 400 A |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | - | 1 | 1 |
相数 | 1 | 1 | 1 | - | 1 | 1 |
最大输出电流 | 6 A | 6 A | 6 A | - | 6 A | 6 A |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | - | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 800 V | 400 V | 600 V | - | 100 V | 200 V |
端子形式 | WIRE | WIRE | WIRE | - | WIRE | WIRE |
端子位置 | AXIAL | AXIAL | AXIAL | - | AXIAL | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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