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PDTB123ET,235

产品描述Small Signal Bipolar Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小369KB,共11页
制造商Nexperia
官网地址https://www.nexperia.com
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PDTB123ET,235概述

Small Signal Bipolar Transistor

PDTB123ET,235规格参数

参数名称属性值
厂商名称Nexperia
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
其他特性BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

PDTB123ET,235相似产品对比

PDTB123ET,235 PDTB123ET
描述 Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor
厂商名称 Nexperia Nexperia
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compliant compliant
其他特性 BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 40 40
JEDEC-95代码 TO-236AB TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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