IRFM044D,IRFM044D pdf中文资料,IRFM044D引脚图,IRFM044D电路-Datasheet-电子工程世界

IRFM044D: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小226KB，共8页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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IRFM044D概述

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,

IRFM044D规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	340 mJ
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	35 A
最大漏极电流 (ID)	35 A
最大漏源导通电阻	0.05 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254AA
JESD-30 代码	R-MSFM-P3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	180 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

IRFM044D相似产品对比

	IRFM044D	IRFM044DPBF	IRFM044U
描述	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,
是否Rohs认证	不符合	符合	不符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code	unknown	compliant	unknown
雪崩能效等级（Eas）	340 mJ	340 mJ	340 mJ
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V	60 V	60 V
最大漏极电流 (ID)	35 A	35 A	35 A
最大漏源导通电阻	0.05 Ω	0.05 Ω	0.05 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254AA	TO-254AA	TO-254AA
JESD-30 代码	R-MSFM-P3	R-MSFM-P3	R-MSFM-P3
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260	NOT SPECIFIED	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	180 A	180 A	180 A
表面贴装	NO	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	40	NOT SPECIFIED	40
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
ECCN代码	EAR99	-	EAR99
最大漏极电流 (Abs) (ID)	35 A	-	35 A
JESD-609代码	e0	-	e0
最大功率耗散 (Abs)	125 W	-	125 W
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)

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