IRFM044DPBF,IRFM044DPBF pdf中文资料,IRFM044DPBF引脚图,IRFM044DPBF电路-Datasheet-电子工程世界

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IRFM044DPBF: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小226KB，共8页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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IRFM044DPBF概述

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,

IRFM044DPBF规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Code	compliant
雪崩能效等级（Eas）	340 mJ
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (ID)	35 A
最大漏源导通电阻	0.05 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254AA
JESD-30 代码	R-MSFM-P3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	180 A
表面贴装	NO
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

IRFM044DPBF相似产品对比

	IRFM044DPBF	IRFM044U	IRFM044D
描述	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,
是否Rohs认证	符合	不符合	不符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code	compliant	unknown	unknown
雪崩能效等级（Eas）	340 mJ	340 mJ	340 mJ
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V	60 V	60 V
最大漏极电流 (ID)	35 A	35 A	35 A
最大漏源导通电阻	0.05 Ω	0.05 Ω	0.05 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254AA	TO-254AA	TO-254AA
JESD-30 代码	R-MSFM-P3	R-MSFM-P3	R-MSFM-P3
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	260	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	180 A	180 A	180 A
表面贴装	NO	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	40	40
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
ECCN代码	-	EAR99	EAR99
最大漏极电流 (Abs) (ID)	-	35 A	35 A
JESD-609代码	-	e0	e0
最大功率耗散 (Abs)	-	125 W	125 W
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified
端子面层	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)

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