IRF6618PBF,IRF6618PBF pdf中文资料,IRF6618PBF引脚图,IRF6618PBF电路-Datasheet-电子工程世界

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IRF6618PBF: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, MT, ISOMETRIC-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小235KB，共9页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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IRF6618PBF概述

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, MT, ISOMETRIC-3

IRF6618PBF规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
包装说明	ROHS COMPLIANT, MT, ISOMETRIC-3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	210 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	29 A
最大漏极电流 (ID)	30 A
最大漏源导通电阻	0.0022 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-XBCC-N3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	89 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	240 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

IRF6618PBF相似产品对比

	IRF6618PBF
描述	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, MT, ISOMETRIC-3
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
包装说明	ROHS COMPLIANT, MT, ISOMETRIC-3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	210 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	29 A
最大漏极电流 (ID)	30 A
最大漏源导通电阻	0.0022 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-XBCC-N3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	89 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	240 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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