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CMKT2222ATRLEADFREE

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小493KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMKT2222ATRLEADFREE概述

Transistor

CMKT2222ATRLEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)0.6 A
最小直流电流增益 (hFE)100
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
表面贴装YES
标称过渡频率 (fT)300 MHz

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CMKT2222A
SURFACE MOUNT
DUAL NPN SMALL SIGNAL
SILICON SWITCHING
TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMKT2222A
consists of two individually isolated 2222A NPN silicon
transistors, manufactured by the epitaxial planar
process and epoxy molded in an SOT-363 surface
mount package. This ULTRAmini™ device has
been designed for small signal general purpose and
switching applications.
MARKING CODE: K22
SOT-363 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
75
40
6.0
600
350
-65 to +150
357
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
UNITS
nA
μA
nA
nA
V
V
V
0.3
1.0
0.6
35
50
75
50
100
40
300
8.0
25
MHz
pF
pF
300
1.2
2.0
V
V
V
V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
ICBO
VCB=60V
10
ICBO
ICEV
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
Cib
VCB=60V, TA=125°C
VCE=60V, VEB=3.0V
VEB=3.0V
IC=10μA
IC=10mA
IE=10μA
IC=150mA, IB=15mA
IC=500mA, IB=50mA
IC=150mA, IB=15mA
IC=500mA, IB=50mA
VCE=10V, IC=0.1mA
VCE=10V, IC=1.0mA
VCE=10V, IC=10mA
VCE=1.0V, IC=150mA
VCE=10V, IC=150mA
VCE=10V, IC=500mA
VCE=20V, IC=20mA, f=100MHz
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
VEB=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
75
40
6.0
10
10
10
R4 (13-January 2010)

CMKT2222ATRLEADFREE相似产品对比

CMKT2222ATRLEADFREE CMKT2222ABK CMKT2222ABKLEADFREE CMKT2222ATR CMKT2222ALEADFREE
描述 Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
是否Rohs认证 符合 不符合 符合 不符合 符合
包装说明 , SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 , SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code compliant not_compliant compliant not_compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 0.6 A 0.6 A 0.6 A 0.6 A 0.6 A
最小直流电流增益 (hFE) 100 40 100 40 40
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN
表面贴装 YES YES YES YES YES
标称过渡频率 (fT) 300 MHz 300 MHz 300 MHz 300 MHz 300 MHz
厂商名称 Central Semiconductor - - Central Semiconductor Central Semiconductor
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C -
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W 0.35 W 0.35 W 0.35 W -
针数 - 3 - 3 3
ECCN代码 - EAR99 - EAR99 EAR99
集电极-发射极最大电压 - 40 V - 40 V 40 V
配置 - SEPARATE, 2 ELEMENTS - SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS
JESD-30 代码 - R-PDSO-G6 - R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
JESD-609代码 - e0 - e0 e3
元件数量 - 2 - 2 2
端子数量 - 6 - 6 6
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 - Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) MATTE TIN (315)
端子形式 - GULL WING - GULL WING GULL WING
端子位置 - DUAL - DUAL DUAL
晶体管应用 - SWITCHING - SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 - SILICON - SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) - 285 ns - 285 ns 285 ns
最大开启时间(吨) - 35 ns - 35 ns 35 ns

 
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