Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CMLM7387TR

CMLM7387TR: 产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.16A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE, PICOMINI-6; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小605KB，共2页; 制造商Central Semiconductor

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CMLM7387TR概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.16A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE, PICOMINI-6

CMLM7387TR规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Central Semiconductor
包装说明	HALOGEN FREE, PICOMINI-6
针数	6
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT IN BIPOLAR TRANSISTOR AND DIODE
最小漏源击穿电压	50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.16 A
最大漏极电流 (ID)	0.16 A
最大漏源导通电阻	4 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-F6
元件数量	1
端子数量	6
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	0.35 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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CMLM7387

MULTI DISCRETE MODULE

™

SURFACE MOUNT

N-CHANNEL MOSFET AND

LOW NOISE PNP TRANSISTOR

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLM7387

is a Multi Discrete Module™ consisting of a single

N-Channel Enhancement-mode MOSFET and a Low

Noise PNP transistor packaged in a space saving

PICOmini™ SOT-563 surface mount case. This

device is designed for small signal general purpose

applications where size and operational efficiency are

prime requirements.

MARKING CODE: 7C7

FEATURES:

• ESD protection up to 2kV

• Low rDS(on) MOSFET

• Low VCE(SAT) PNP Transistor

SYMBOL

TJ, Tstg

SYMBOL

VDS

VGS

IDM

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

UNITS

°C

°C/W

UNITS

SOT-563 CASE

• Devices are

Halogen Free

by design

APPLICATIONS:

• DC / DC Converters

• Battery Powered Portable Equipment

MAXIMUM RATINGS (SOT-563 Package):

(TA=25°C)

Power Dissipation (Note 1)

Power Dissipation (Note 2)

Power Dissipation (Note 3)

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

MAXIMUM RATINGS Q1:

(TA=25°C)

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Maximum Pulsed Drain Current

MAXIMUM RATINGS Q2:

(TA=25°C)

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

350

300

150

-65 to +150

357

160

560

5.0

100

ELECTRICAL CHARACTERISTICS Q1:

(TA=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

IGSSF, IGSSR

VGS=8.0V, VDS=0V

IGSSF, IGSSR

VGS=12V, VDS=0V

IDSS

VDS=50V, VGS=0V

BVDSS

VGS(th)

rDS(ON)

gFS

Notes:

TYP

MAX

1.0

5.0

1.0

4.0

5.0

UNITS

μA

VGS=0V, ID=250μA

VDS=VGS, ID=250μA

VGS=4.0V, ID=100mA

VGS=2.5V, ID=80mA

VDS=10V, ID=100mA

0.7

180

(1) Ceramic or aluminum core PC Board with copper mounting pad area of 4.0 mm

(2) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 4.0 mm

(3) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 1.4 mm

R0 (1-December 2009)

CMLM7387TR相似产品对比

	CMLM7387TR	CMLM7387TRLEADFREE
描述	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.16A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE, PICOMINI-6	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
是否Rohs认证	不符合	符合
厂商名称	Central Semiconductor	Central Semiconductor
Reach Compliance Code	unknown	compliant
配置	SINGLE WITH BUILT IN BIPOLAR TRANSISTOR AND DIODE	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.16 A	0.16 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	0.35 W	0.35 W
表面贴装	YES	YES

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