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MWT-A173HG

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小258KB,共5页
制造商Microwave_Technology_Inc.
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MWT-A173HG概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET

MWT-A173HG规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microwave_Technology_Inc.
包装说明DISK BUTTON, O-PRDB-F4
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
FET 技术METAL SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)0.06 pF
最高频带X BAND
JESD-30 代码O-PRDB-F4
元件数量1
端子数量4
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
极性/信道类型N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)9 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE

MWT-A173HG相似产品对比

MWT-A173HG MWT-A171HG MWT-A170SG MWT-A170HG
描述 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET
厂商名称 Microwave_Technology_Inc. Microwave_Technology_Inc. Microwave_Technology_Inc. Microwave_Technology_Inc.
包装说明 DISK BUTTON, O-PRDB-F4 FLANGE MOUNT, S-CDFM-F2 DISK BUTTON, O-CRDB-F4 DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
外壳连接 SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
FET 技术 METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 0.06 pF 0.06 pF 0.06 pF 0.06 pF
最高频带 X BAND X BAND X BAND X BAND
JESD-30 代码 O-PRDB-F4 S-CDFM-F2 O-CRDB-F4 O-CRDB-F4
元件数量 1 1 1 1
端子数量 4 2 4 4
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 ROUND SQUARE ROUND ROUND
封装形式 DISK BUTTON FLANGE MOUNT DISK BUTTON DISK BUTTON
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp) 9 dB 9 dB 9 dB 9 dB
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 RADIAL DUAL RADIAL RADIAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE
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