Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> MGFC1412-T03

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MGFC1412-T03: 产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, DIE-8; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小149KB，共5页; 制造商Mitsubishi(日本三菱); 官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/

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MGFC1412-T03概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, DIE-8

MGFC1412-T03规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码	DIE
包装说明	UNCASED CHIP, R-XUUC-N8
针数	8
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	LOW NOISE
配置	SINGLE
最大漏极电流 (ID)	0.1 A
FET 技术	JUNCTION
最高频带	X BAND
JESD-30 代码	R-XUUC-N8
元件数量	1
端子数量	8
工作模式	DEPLETION MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	UNCASED CHIP
极性/信道类型	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)	6 dB
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	UPPER
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	GALLIUM ARSENIDE

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MGFC1412-T03相似产品对比

	MGFC1412-T03	MGF1412-11-08	MGF1412-11-09	MGFC1412-T02
描述	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, DIE-8	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-4	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-4	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, DIE-8
包装说明	UNCASED CHIP, R-XUUC-N8	MICROWAVE, S-CQMW-F4	MICROWAVE, S-CQMW-F4	UNCASED CHIP, R-XUUC-N8
针数	8	4	4	8
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
其他特性	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最大漏极电流 (ID)	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
FET 技术	JUNCTION	JUNCTION	JUNCTION	JUNCTION
最高频带	X BAND	S BAND	S BAND	X BAND
JESD-30 代码	R-XUUC-N8	S-CQMW-F4	S-CQMW-F4	R-XUUC-N8
元件数量	1	1	1	1
端子数量	8	4	4	8
工作模式	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	SQUARE	SQUARE	RECTANGULAR
封装形式	UNCASED CHIP	MICROWAVE	MICROWAVE	UNCASED CHIP
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)	6 dB	11 dB	11 dB	6 dB
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子形式	NO LEAD	FLAT	FLAT	NO LEAD
端子位置	UPPER	QUAD	QUAD	UPPER
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	GALLIUM ARSENIDE	GALLIUM ARSENIDE	GALLIUM ARSENIDE	GALLIUM ARSENIDE
厂商名称	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	-

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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