Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 200V, 0.1ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Solitron Devices Inc |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-MDFM-P10 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | HIGH RELIABILITY |
| 配置 | COMPLEX |
| 最小漏源击穿电压 | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 120 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 120 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.1 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-MDFM-P10 |
| 元件数量 | 4 |
| 端子数量 | 10 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 416 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 416 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 480 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 220 ns |
| 最大开启时间（吨） | 210 ns |
| SDF120NA20JDZU1N | SDF120NA20HIWU1N | SDF120NA20JDEU1N | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 200V, 0.1ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 200V, 0.1ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 200V, 0.1ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Solitron Devices Inc | Solitron Devices Inc | Solitron Devices Inc |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-MDFM-P10 | FLANGE MOUNT, R-MDFM-P10 | FLANGE MOUNT, R-MDFM-P10 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
| 配置 | COMPLEX | COMPLEX | COMPLEX |
| 最小漏源击穿电压 | 200 V | 200 V | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 120 A | 120 A | 120 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 120 A | 120 A | 120 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.1 Ω | 0.1 Ω | 0.1 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-MDFM-P10 | R-MDFM-P10 | R-MDFM-P10 |
| 元件数量 | 4 | 4 | 4 |
| 端子数量 | 10 | 10 | 10 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | METAL | METAL | METAL |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 416 W | 416 W | 416 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 416 W | 416 W | 416 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 480 A | 480 A | 480 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 220 ns | 220 ns | 220 ns |
| 最大开启时间（吨） | 210 ns | 210 ns | 210 ns |
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