Non-Volatile SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Simtek |
| 包装说明 | DIP, DIP28,.6 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 30 ns |
| 其他特性 | EEPROM SOFTWARE STORE/RECALL; RETENTION/ENDURANCE - 10 YEARS/10000 CYCLES |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 36.83 mm |
| 内存密度 | 65536 bit |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 8KX8 |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.572 mm |
| 最大待机电流 | 0.001 A |
| 最大压摆率 | 0.085 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 15.24 mm |
| STK11C68-W30I | |
|---|---|
| 描述 | Non-Volatile SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Simtek |
| 包装说明 | DIP, DIP28,.6 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 30 ns |
| 其他特性 | EEPROM SOFTWARE STORE/RECALL; RETENTION/ENDURANCE - 10 YEARS/10000 CYCLES |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 36.83 mm |
| 内存密度 | 65536 bit |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 8KX8 |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.572 mm |
| 最大待机电流 | 0.001 A |
| 最大压摆率 | 0.085 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 15.24 mm |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
