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IDT71M024S100C

产品描述Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
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文件大小210KB,共8页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71M024S100C概述

Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

IDT71M024S100C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIP
包装说明0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
针数32
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最长访问时间100 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CDIP-T32
JESD-609代码e0
长度40.894 mm
内存密度1048576 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.826 mm
最大待机电流0.002 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度15.24 mm
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