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BD939

产品描述Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小71KB,共2页
制造商New Jersey Semiconductor
官网地址http://www.njsemi.com
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BD939概述

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin

BD939规格参数

参数名称属性值
厂商名称New Jersey Semiconductor
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)3 MHz

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20 STERN AVE.
SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081
U.S.A.
TELEPHONE: (973) 376-2922
(212)227-6005
FAX: (973) 376-8960
Silicon NPN Power Transistor
DESCRIPTION
• DC Current Gain-
: h
FE
= 40(Min)@ l
c
= 150mA
• Complement to Type BD934/936/938/940/942
APPLICATIONS
• Designed for use in output stages of audio and television
amplifier circuits where high peak powers can occur.
BD933/935/937/939/941
2
1-
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
a
=25"C)
SYMBOL
PARAMETER
BD933
BD935
VALUE
45
60
100
120
140
45
60
80
100
120
5
3
7
0.5
30
150
UNIT
w
1
j
. I
1 2 3
j
3
PIN
1.BASE
<
2. COLLECTOR
3- EMITTER
TO-220C package
VCBO
Collector-Base Voltage
BD937
BD939
BD941
BD933
BD935
V
-i B —
•*• V -H
*S
tlf'
A"
"
^ert
^>
§
i
Jv v V
11
fl^l
—1500
%
VCEO
Collector-Emitter Voltage
BD937
BD939
BD941
V
_.
T
V
EBO
Emitter-Base Voltage
Collector Current-Continuous
Collector Current-Peak
Base Current-Continuous
Collector Power Dissipation
@ T
C
=25'C
Junction Temperature
Storage Temperature Range
V
A
A
A
W
'C
Ic
ICM
IB
PC
Tj
Tstg
c
4
.
mm
WIN
DIM
A
15.70
9.90
B
C
D
F
G
-65-150
°c
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Thermal Resistance.Junction to Case
Thermal Resistance.Junction to Ambient
MAX
4.17
70
UNIT
iv,
Rth j-c
Rth j-a
r/w
•c/w
H
J
K
L
Q
ft
S
u
V
MAX
15.90
10.10
4.20
4.40
0.70
0.90
3.40
3.60
4.98
5.1?
2.90
2.70
0.44
0.46
13.20 13.40
1.30
1.10
2.90
2.70
2.50
2.70
1.29
1.31
6.65
6.45
8.66
8.86
Oiinlih/ S

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BD939 BD933 BD935 BD941 BD937
描述 Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
厂商名称 New Jersey Semiconductor New Jersey Semiconductor New Jersey Semiconductor New Jersey Semiconductor New Jersey Semiconductor
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A
集电极-发射极最大电压 100 V 45 V 60 V 120 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 25 25 25 25 25
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 3 MHz 3 MHz 3 MHz 3 MHz 3 MHz
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为什么用定时器检测按键不行呢? #include #define uchar unsigned char #define uint unsigned int uchar timer=0,flag1s=0,flag=0; uchar led=0x01; uint buttonflag=0; void delay( ......
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